STP4NK50Z

STP4NK50Z是ST意法半导体基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化单元密度和沟道设计，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心架构旨在为高压开关应用提供一个高效可靠的解决方案，内部集成了体二极管，为感性负载下的电流续流提供了路径，增强了电路设计的鲁棒性。

该MOSFET具备500V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）电路等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关损耗，简化栅极驱动电路的设计，并允许在更高的开关频率下工作，为电源的小型化提供了可能。

在电气参数上，STP4NK50Z在壳温（Tc）条件下可支持3A的连续漏极电流，最大栅源电压（Vgs）为±30V，提供了较宽的驱动安全裕度。其阈值电压（Vgs(th)）最大值典型，确保了良好的噪声免疫能力。器件采用经典的TO-220AB通孔封装，具有优异的导热性能，在配备适当散热器的情况下，最大功率耗散可达45W（Tc），工作结温范围为-55°C至150°C，能够适应严苛的环境要求。对于需要获取官方技术支持和样品渠道的开发者，可以联系ST中国代理以获取更详细的信息。

凭借其高耐压、良好的开关特性以及TO-220封装带来的便利散热能力，该器件非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、电子镇流器、电机控制驱动以及各种AC-DC转换器中的高压侧开关。尽管其零件状态已标注为停产，意味着已进入产品生命周期末期，但对于许多现有设计的维护、备件供应或对成本极其敏感且不追求最新工艺的应用而言，它仍然是一个经过市场长期验证的可靠选择。

• 型号:STP4NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP4NK50Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心规格包括500V的漏源电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Tc），采用TO-220AB通孔封装，确保了良好的功率处理能力和散热性能。

其技术亮点在于通过优化的内部结构，在高压条件下实现了较低的导通电阻，有助于提升能效。同时，适中的栅极电荷和输入电容参数有利于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。该器件设计工作于-55°C至150°C的宽结温范围，适用于要求高可靠性的工业环境。