STP4NK50ZD

STP4NK50ZD是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其标志性的SuperMESH产品系列。该器件采用成熟的平面MOSFET技术，通过优化的单元结构和制造工艺，在TO-220AB通孔封装内实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心设计旨在处理高达500V的漏源电压，为开关电源和电机控制等应用中的高压侧或低压侧开关提供了一个可靠的解决方案。

该MOSFET的功能特性围绕其高性能开关能力构建。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压和1.5A漏极电流条件下，典型值仅为2.7欧姆，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在12nC（@10V），结合310pF（@25V）的输入电容，意味着器件具有较快的开关速度和较低的驱动需求，有利于简化驱动电路设计并减少开关损耗。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了较强的抗干扰能力。

在电气参数方面，STP4NK50ZD在壳温（Tc）条件下标称连续漏极电流为3A，最大功率耗散为45W。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V（@50A），确保了在常见逻辑电平驱动下的可靠开启与关断。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以联系ST中国代理获取相关服务。

凭借500V的耐压和优化的动态特性，这款器件非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧PWM开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及低功率电机驱动和继电器替代等场景。其TO-220AB封装形式便于安装在散热器上，以满足中功率应用的热管理需求。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数在同类替代选型中仍具有重要的参考价值。

• 型号:STP4NK50ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP4NK50ZD是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于高达500V的漏源电压（Vdss）与低至2.7欧姆的导通电阻（Rds(on)）的结合，能够在高压开关应用中有效降低导通损耗。

该器件具备快速的开关性能，其最大栅极电荷（Qg）仅为12nC，有助于提升开关频率并减少驱动损耗。在壳温条件下，它支持3A的连续漏极电流和45W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。