STP50NE10

作为ST意法半导体STripFET系列中的一员，STP50NE10是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件。该器件基于成熟的平面MOSFET架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片上实现了低导通电阻与高开关性能的平衡。其核心在于STripFET技术，该技术通过降低栅极电荷和内部电容，显著提升了开关效率，使其在功率转换应用中能够有效降低开关损耗和驱动需求。

在电气特性方面，该器件具备100V的漏源击穿电压，为其在多种开关电源和电机控制拓扑中提供了充足的电压裕量。其导通电阻在25A电流、10V栅极驱动下典型值仅为27毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为导通状态下的低功率损耗，有助于提升系统整体能效并简化散热设计。同时，其栅极阈值电压最大值为4V，结合±20V的最大栅源电压范围，提供了良好的噪声抑制能力和驱动兼容性。

器件的动态特性同样突出，在10V栅源电压下，总栅极电荷仅为166nC，输入电容为6000pF。这些参数共同决定了其快速的开关速度，能够有效降低高频开关应用中的开关损耗。其封装采用经典的TO-220AB通孔形式，便于安装散热器，在管壳温度为25°C时，连续漏极电流可达50A，最大功耗为180W，最高结温为175°C，确保了其在严苛环境下的可靠工作。用户可通过官方授权的ST代理获取详细的技术支持与供货信息。

凭借其高电压、大电流和低导通电阻的组合，STP50NE10非常适合应用于需要高效功率处理的领域。典型应用包括开关模式电源中的初级侧或次级侧同步整流、DC-DC转换器、电机驱动控制器以及各类工业级功率开关。尽管该型号目前已处于停产状态，但其设计所体现的性能平衡点，对于理解中功率MOSFET的选型与替代仍具有重要的参考价值。

• 型号:STP50NE10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:166 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:180W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP50NE10是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件设计用于处理高达100V的电压和50A的连续电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在标准工作条件下典型值仅为27毫欧，这直接带来了更低的导通损耗和更高的系统效率。

此外，该器件具备优化的开关特性，总栅极电荷较低，有助于实现快速的开关切换并减少驱动电路的负担。其采用坚固的TO-220AB通孔封装，支持高达180W的功率耗散，结合175°C的最高工作结温，确保了在电机驱动、电源转换等中高功率应用中的稳定性和可靠性。