STP52P3LLH6

STP52P3LLH6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET H6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现极低的导通电阻（R_DS(on)）与出色的开关性能平衡。其核心在于通过精细的单元几何结构和先进的沟槽栅工艺，在保持较小芯片面积的同时，显著降低了通态损耗和栅极电荷，这直接转化为更高的功率转换效率和更低的温升，为高功率密度应用提供了坚实的基础。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电流处理能力与稳健的电压等级。在壳温（T_C）为25°C时，其连续漏极电流（I_D）额定值高达52A，而漏源击穿电压（V_DSS）为30V，使其非常适合用于低压大电流的开关环境。其驱动特性经过优化，在10V栅源电压（V_GS）下即可获得最低的R_DS(on)，同时兼容4.5V的逻辑电平驱动，这为与微控制器或数字信号处理器直接接口提供了便利，简化了驱动电路设计。TO-220封装提供了良好的机械坚固性和热性能，其最大功率耗散为70W（T_C），结合低热阻特性，确保了器件在持续高负载下的可靠性。对于需要可靠供应链和技术支持的用户，可以通过ST中国代理获取该产品的完整技术资料、样品及采购服务。

在电气参数方面，STP52P3LLH6的低导通电阻特性直接降低了导通状态下的功率损耗，而优化的栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）则有助于实现快速的开关转换，减少开关损耗。这些参数的综合优势使其在频率较高的开关应用中依然能保持高效率。通孔安装的TO-220封装是工业标准，便于在散热器上安装，以实现高效的热管理，这对于充分发挥其70W的功率处理能力至关重要。

基于其技术特性，STP52P3LLH6主要面向需要高效功率切换和控制的领域。它广泛应用于同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和升压拓扑）、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理单元。在服务器电源、通信设备、电动工具、无人机电调以及汽车辅助系统等对效率、尺寸和可靠性有严格要求的场景中，这款MOSFET能够提供稳定而高效的性能表现，是工程师设计下一代高能效电力电子系统的可靠选择。

• 型号:STP52P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CHANNEL 30V 52A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP52P3LLH6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP52P3LLH6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET H6产品系列。该器件采用TO-220通孔封装，核心优势在于其30V的漏源电压（V_DSS）和高达52A（T_C=25°C）的连续漏极电流处理能力，能够胜任大电流开关任务。

其技术设计聚焦于降低损耗，优化的栅极驱动电压（10V时R_DS(on)最小，兼容4.5V逻辑电平）与低导通电阻相结合，旨在提升系统的整体能效和开关速度。最大70W（T_C）的功率耗散能力，配合TO-220封装良好的热特性，确保了在高负载应用中的稳定运行。这款MOSFET是同步整流、DC-DC转换和电机驱动等高效电源解决方案的理想选择。