STP5NB60

STP5NB60是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装，属于其标志性的PowerMESH系列产品。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心架构旨在优化高压开关应用中的性能与可靠性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）与5A的连续漏极电流（Id）能力，构成了处理中等功率等级任务的基础。内部单元采用低栅极电荷（Qg）与低导通电阻（Rds(on)）的优化设计，这直接关系到开关效率与导通损耗，是实现高效能量转换的关键。

该器件在功能上展现出针对开关电源和电机控制等应用的针对性优化。其最大导通电阻在10V驱动电压、2.5A电流条件下仅为2欧姆，较低的Rds(on)值意味着在导通状态下产生的热量更少，有助于提升系统整体效率并简化散热设计。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为30nC（@10V），较低的栅极电荷使得驱动电路能够更快速地对栅极进行充放电，从而显著提升开关速度，降低开关损耗，这对于高频开关应用尤为重要。其栅源电压（Vgs）最大可承受±30V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在接口与参数方面，STP5NB60采用标准的三引脚TO-220AB封装，便于安装和散热。其热性能参数同样突出，在管壳温度（Tc）下最大功率耗散可达100W，结合高达150°C的结温（Tj）工作能力，确保了器件在严苛环境下的稳定运行。输入电容（Ciss）最大值为884pF（@25V），与低栅极电荷特性协同，进一步优化了高频驱动特性。用户可通过正规的ST授权代理获取该器件的完整技术资料与供货支持。

得益于其平衡的电压、电流能力以及优异的开关特性，STP5NB60非常适用于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源（SMPS），如PC电源、适配器和工业电源的初级侧开关。此外，它在电机驱动、照明镇流器、不间断电源（UPS）以及各类功率转换电路中作为主开关或同步整流元件，也能发挥重要作用。其TO-220封装形式使其在需要良好散热性能的通用工业与消费电子领域具有广泛的应用基础。

• 型号:STP5NB60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:884 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP5NB60是ST意法半导体PowerMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。该器件核心规格为600V漏源电压（Vdss）和5A连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其关键性能优势在于优异的动态与静态特性：最大导通电阻（Rds(on)）低至2欧姆（@10V， 2.5A），有效降低了导通损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）仅为30nC（@10V），确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率并降低开关损耗。这些特性使其在开关电源和电机控制等应用中能够实现高效、可靠的功率切换。