STP6N90K5

STP6N90K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构通过创新的单元布局和栅极设计，有效控制了寄生电容，从而在开关性能与传导损耗之间取得了显著改进，为高电压开关应用提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备一系列突出的电气特性。其900V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电网电压波动及反激拓扑中的电压尖峰。在导通特性方面，器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的通态损耗和更高的整体能效。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）设计合理，确保了驱动的便利性与抗干扰能力的平衡，而±30V的最大栅源电压则提供了宽裕的驱动安全裕度。

在封装与接口层面，STP6N90K5采用经典的TO-220通孔封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热能力，其金属背板便于安装散热器以耗散高达110W（Tc）的功率。器件的连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为6A，结合其低至1.1欧姆的导通电阻，使其能够高效处理中等功率级别的能量。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购是保障供应链与产品可靠性的重要途径。

凭借高耐压、良好的开关特性与功率处理能力，STP6N90K5非常适用于离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动等应用场景。在反激、正激等拓扑中，它能作为主开关管，构建高效、紧凑的电源解决方案。此外，在工业控制、新能源等领域的辅助电源或功率开关部分，它也能发挥关键作用，是工程师设计高可靠性、高性价比功率系统的优选器件之一。

• 型号:STP6N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP6N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格包括900V的漏源电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Id），专为要求高耐压和中等电流处理能力的应用而设计。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（Rds(on)）与高开关性能的优化结合，这有助于降低功率损耗并提升系统效率。器件支持高达110W的功率耗散，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保了在各类工业与消费电子电源设计中的稳定性和耐用性。