STP75NF75FP

STP75NF75FP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，通过优化单元结构和制造流程，在单位面积内实现了更低的导通电阻和更高的电流密度。其核心架构旨在有效降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。TO-220FP封装不仅提供了坚固的机械结构，其外露的金属片也增强了散热能力，便于将芯片产生的热量高效传导至外部散热器。

该MOSFET的突出特性在于其优异的导通性能与稳健性的平衡。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值极低，最大值仅为11毫欧（在40A条件下测试），这直接转化为更低的通态压降和功率损耗。同时，它具备75V的漏源击穿电压（V_{DSS）和高达80A（壳温条件下）的连续漏极电流能力，为设计提供了充足的电压和电流裕量。其栅极电荷（Qg）典型值得到良好控制，有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。}

在电气参数方面，STP75NF75FP的阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力，而栅源电压（V_GS）可承受±20V，提供了较高的驱动安全余量。其输入电容（C_iss）等动态参数经过优化，有助于实现快速的开关切换。器件支持-55°C至175°C的宽结温范围，并能在高达45W（壳温条件下）的功率下稳定工作，展现了出色的热性能和可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过正规的ST一级代理进行采购是确保产品正宗和供应链可靠的重要途径。

凭借上述特性，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括中大功率的DC-DC转换器、电机驱动控制器（如电动工具、工业风扇）、开关电源（SMPS）的初级或次级侧同步整流，以及各类需要高效功率开关的逆变器和负载开关。其TO-220FP封装形式兼容广泛的标准PCB布局和散热方案，便于工程师在现有设计中快速集成和升级。

• 型号:STP75NF75FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STP75NF75FP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP75NF75FP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其卓越的电流处理能力与低导通电阻的完美结合。

其关键电气参数包括75V的漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流。在10V栅极驱动下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为11毫欧（@40A），这显著降低了传导损耗，提升了系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）典型值较低，有利于实现快速开关并减少驱动损耗。

该器件设计稳健，栅源电压（Vgs）可承受±20V，工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为45W（Tc），确保了在严苛环境下的可靠运行，适用于要求高效率和高可靠性的功率开关场景。