STP78N75F4

STP78N75F4是ST意法半导体基于其先进的STripFET和DeepGATE技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的单元结构和沟槽栅极设计，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心架构通过精密的半导体工艺，在单位面积内集成了高密度的晶体管单元，有效降低了电流通路的阻抗，从而在75V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够支持高达78A（Tc）的连续漏极电流。

该MOSFET的关键特性在于其卓越的能效表现。在10V的栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值极低，最大值仅为11毫欧（在39A条件下测得），这直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在76nC @ 10V，结合5015pF @ 25V的输入电容（Ciss），意味着器件在开关过程中所需的驱动能量较小，有助于简化驱动电路设计并提升系统在高频应用下的整体效率。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了较宽的安全工作裕度。

在电气参数方面，STP78N75F4展现了宽泛的工作适应性。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 250A，确保了良好的噪声免疫能力。器件的最大功率耗散能力为150W（Tc），结温工作范围覆盖-55°C至175°C，适用于要求严苛的环境。物理上，它采用经典的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器以实现高效的热管理，这对于充分发挥其大电流处理能力至关重要。用户可以通过授权的ST芯片代理获取详细的技术支持与供应链服务。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和稳健的开关特性，这款MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括工业电源中的同步整流、电机驱动控制单元、大电流DC-DC转换器以及不间断电源（UPS）系统中的功率开关部分。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的技术思路和性能参数，对于理解高效功率开关解决方案仍具有重要的参考价值。

• 型号:STP78N75F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 78A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):78A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 39A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:76 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5015 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP78N75F4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于结合了75V的漏源电压（Vdss）额定值与高达78A（Tc）的连续漏极电流处理能力，能够满足高功率应用的需求。

该器件基于STripFET和DeepGATE技术，实现了极低的导通电阻，最大值仅为11毫欧 @ 39A, 10V，这显著降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在76nC @ 10V，有利于实现高效的开关操作并减少驱动电路的负担。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的可靠性。