STP7N80K5

STP7N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻的优异平衡。其核心设计旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等应用中常见的电压应力和开关尖峰，提供了宽裕的安全工作裕量。在导通特性方面，其在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值远低于1.2欧姆（@3A），这意味着在相同电流条件下，器件的导通压降和由此产生的热损耗被显著降低。同时，其栅极电荷（Qg）典型值仅为13.4nC，较低的Qg值直接转化为更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，有利于在高频开关电源设计中提升效率并简化驱动电路设计。

在电气参数与物理接口上，STP7N80K5在25°C壳温（Tc）下可连续通过6A的漏极电流，最大功耗为110W。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，增强了驱动电路的鲁棒性。输入电容（Ciss）在100V偏压下最大为360pF，与低Qg特性共同确保了快速的动态响应。器件采用业界通用的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，便于安装在散热器上以实现更高的功率耗散。其结温工作范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的工作环境。用户可通过官方ST代理获取完整的技术支持与供应链服务。

得益于其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）和主开关拓扑、照明镇流器、工业电机控制与驱动、UPS不同断电源以及电焊机等功率转换领域。在这些场景中，它能够有效提升系统能效，减小散热器尺寸，并增强系统在高压环境下的长期运行稳定性。

• 型号:STP7N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP7N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件核心优势在于其800V的高漏源击穿电压与优异的低导通电阻特性的合，为高压应用提供了高效率的开关解决方案。

其技术参数表现出色，在10V栅极驱动下导通电阻典型值较低，同时栅极电荷（Qg）小，这共同确保了较低的传导损耗和开关损耗。器件采用TO-220封装，在25°C壳温下可支持6A的连续电流和110W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，具备高可靠性。