STF18N60M6

STF18N60M6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了极低的单位面积导通电阻（RDS(on)）与出色的开关性能平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），这对于提升高频开关应用的效率至关重要。这种架构确保了在高压环境下，器件仍能保持快速响应和低导通损耗，为电源系统的功率密度和可靠性提供了坚实的基础。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够从容应对离线式开关电源（SMPS）中的高压应力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、6.5A电流条件下典型值仅为280毫欧，这意味着更低的传导损耗和更高的整体能效。同时，最大栅极电荷（Qg）低至16.8nC，结合650pF的输入电容（Ciss），显著降低了栅极驱动电路的负担和开关损耗，有利于实现更高频率的开关操作，从而减小磁性元件的体积和系统尺寸。

在电气参数方面，STF18N60M6的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.75V，确保了良好的噪声抑制能力和与主流控制器的兼容性。其栅源电压（Vgs）可承受±25V的范围，提供了充足的驱动安全裕量。器件采用标准的TO-220FP封装，这种通孔安装形式兼顾了良好的散热性能和机械强度，其最大功率耗散能力为25W（基于壳温）。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的工业环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高性能与高可靠性，STF18N60M6非常适用于要求严苛的功率转换领域。其主要应用场景包括工业级开关电源、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动逆变器以及照明用电子镇流器等。在这些应用中，它能够有效提升系统的功率密度和能源效率，是实现紧凑、高效且可靠的电力电子解决方案的关键元器件之一。

• 型号:STF18N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF18N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh M6产品系列。该器件设计用于高压、高效率的开关应用，其核心优势在于结合了600V的漏源电压（Vdss）额定值与13A的连续漏极电流（Id）能力。

其技术亮点包括极低的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg），分别低至280毫欧（@10V， 6.5A）和16.8nC（@10V），这直接转化为更低的传导与开关损耗，有助于提升整体系统能效并支持更高频率的设计。器件采用TO-220FP封装，提供良好的热性能，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保在工业环境下的稳定运行。