STP7NK40ZFP

STP7NK40ZFP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了低导通电阻与高击穿电压的良好平衡。其核心架构旨在有效管理功率转换过程中的开关损耗和传导损耗，为开关电源等应用提供高效、可靠的功率开关解决方案。

该MOSFET的显著特性在于其400V的漏源击穿电压（Vdss）和5.4A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够承受较高的功率等级。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、2.7A漏极电流条件下典型值仅为1欧姆，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在26nC，有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升高频开关性能。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取该产品的技术支持和库存信息。

在电气接口与参数方面，STP7NK40ZFP采用标准的10V驱动电压，栅源电压（Vgs）最大可承受±30V，提供了较宽的驱动安全裕度。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，确保了良好的噪声抑制能力。器件封装为TO-220FP，这是一种常见的通孔安装封装，自带散热片安装孔，便于通过外部散热器将芯片结温（TJ）控制在-55°C至150°C的宽工作温度范围内，其最大功率耗散能力为25W（基于壳温Tc）。

凭借其高耐压、低导通电阻和优化的开关特性，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动等中功率领域。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备和备件替换市场中，它依然是一个经过验证的、性能稳定的功率开关选择，体现了ST SuperMESH系列在功率管理方面的技术积淀。

• 型号:STP7NK40ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STP7NK40ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，核心电气参数包括400V的漏源电压（Vdss）和5.4A的连续漏极电流（Id），适用于中高功率开关应用。

其技术优势体现在较低的导通电阻（1欧姆 @ 10V， 2.7A）与优化的栅极电荷（26nC @ 10V），这有助于在开关电源等电路中实现更低的传导损耗和开关损耗，从而提升整体能效。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，最大功率耗散为25W，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。