STP80N6F6

STP80N6F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其面向汽车电子等高可靠性应用的Automotive, AEC-Q101产品系列。该器件采用了ST先进的STripFET VI技术和DeepGATE工艺架构，旨在实现极低的导通损耗和优异的开关性能。其核心设计优化了单元密度和沟道电阻，使得在紧凑的芯片面积内能够承受高达110A的连续漏极电流，同时维持出色的热稳定性。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、50A漏极电流条件下，Rds(On)典型值仅为5.8毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷(Qg)最大值控制在122nC，有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升高频开关应用的性能。器件具备60V的漏源击穿电压(Vdss)和宽广的工作温度范围（-55°C至175°C结温），确保了在严苛环境下的可靠运行。其TO-220封装提供了良好的功率耗散能力，在管壳温度(Tc)下最大功耗可达120W。

在接口与参数方面，STP80N6F6采用标准的通孔TO-220封装，便于安装和散热处理。其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，兼容常见的逻辑电平驱动，而最大栅源电压为±20V，提供了足够的驱动安全裕量。输入电容(Ciss)为7480pF，设计驱动电路时需予以考虑。尽管该产品目前已处于停产状态，但在其生命周期内，通过正规的ST一级代理渠道，它曾是许多高可靠性设计中的关键部件。

这款MOSFET典型应用于需要高效率和高电流处理能力的DC-DC转换器、电机驱动控制器以及各类电源管理模块中。其汽车级(AEC-Q101)认证使其特别适合汽车领域的应用，如电动助力转向(EPS)、燃油泵驱动、电池管理系统(BMS)中的负载开关等。其强大的电流处理能力和低导通电阻特性，也使其在工业电源、不间断电源(UPS)以及大电流开关电路中表现出色，是构建高效、紧凑型功率解决方案的经典选择之一。

• 型号:STP80N6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 110A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.8 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:122 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:120W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP80N6F6是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，专为高电流、高效率应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、50A Id条件下典型值仅为5.8mΩ，配合110A（Tc）的连续漏极电流能力，可显著降低功率损耗，提升系统整体能效。

该器件具备60V的漏源电压额定值，工作结温范围宽达-55°C至175°C，并通过了AEC-Q101汽车级认证，确保了在恶劣环境下的长期可靠性。其栅极电荷(Qg)为122nC，有助于实现快速的开关切换。这些特性使其非常适用于汽车电子、工业电机驱动及大电流开关电源等领域的功率转换与控制电路。