STP80NF10

作为STripFET II系列的一员，STP80NF10是一款采用先进工艺制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于意法半导体成熟的平面技术，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的优异平衡。这种设计不仅提升了功率转换效率，也显著降低了开关损耗，使得器件在高频开关应用中表现出色。

该器件在10V栅极驱动电压下，能够提供高达80A的连续漏极电流（Tc=25°C），而其导通电阻在40A电流条件下典型值仅为15毫欧。这一特性直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生，对于提升系统整体能效和可靠性至关重要。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的噪声免疫能力，而±20V的最大栅源电压则提供了宽裕的安全设计余量。其封装采用经典的TO-220AB通孔形式，便于安装散热器，支持高达300W（Tc）的功率耗散，结温工作范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

在接口与参数方面，STP80NF10的100V漏源击穿电压（Vdss）使其适用于中高电压平台。其开关性能由关键动态参数定义：在10V Vgs条件下，最大栅极总电荷（Qg）为182nC，输入电容（Ciss）最大值为5500pF @ 25V。这些参数共同决定了器件的开关速度，较低的Qg值意味着对栅极驱动电路的要求更为友好，有助于简化驱动设计并减少开关延迟。用户可以通过正规的ST授权代理获取完整的数据手册、应用支持以及可靠的供货渠道。

基于其100V/80A的额定能力与优异的开关特性，该MOSFET非常适合作为主开关或同步整流元件，广泛应用于工业级的开关电源（SMPS）、电机驱动控制、不间断电源（UPS）以及各类DC-DC转换器中。其稳健的性能和TO-220AB封装带来的散热便利性，使其成为工程师在设计和升级功率处理单元时，追求高效率、高功率密度和高可靠性的一个经典型号选择。

• 型号:STP80NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:182 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP80NF10是ST意法半导体推出的STripFET II系列N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。该器件核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）与高达80A的连续漏极电流（Id）处理能力，结合低至15毫欧（@40A, 10V）的导通电阻，能够显著降低导通状态下的功率损耗。

其动态特性同样出色，最大栅极电荷（Qg）为182nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗，适用于高频开关应用。器件支持-55°C至175°C的宽结温范围，最大功率耗散达300W，确保了在 demanding 应用环境下的高可靠性与稳定性。这些参数使其成为电机驱动、电源转换和功率控制等领域的理想选择。