STP80NF55-08AG

STP80NF55-08AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道功率MOSFET，隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive级STripFET产品系列。该器件采用先进的平面栅极工艺和优化的单元结构，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心架构通过精密的芯片布局和封装技术，有效降低了寄生参数，为高电流、高频率应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至8毫欧（在40A条件下测量），这一特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下高达80A，最大功率耗散为300W，展现出强大的电流处理与散热能力。栅极电荷（Q_g）典型值为112nC，结合适中的输入电容（C_iss），有助于降低驱动电路的损耗并提升开关速度，使其在需要快速切换的场合中表现优异。

在电气参数方面，器件额定漏源电压（V_DSS）为55V，栅源电压（V_GS）可承受±20V，提供了宽裕的安全工作范围。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力和可靠的导通控制。该MOSFET采用经典的TO-220通孔封装，机械坚固且便于安装散热器，其工作结温范围宽达-55°C至175°C，能够适应严苛的环境要求。对于需要稳定可靠货源的设计项目，通过授权的ST一级代理进行采购是保障供应链与产品一致性的重要途径。

基于其高电流能力、低导通损耗以及通过车规认证的可靠性，STP80NF55-08AG非常适用于对效率和鲁棒性有高要求的领域。典型应用包括汽车电子系统中的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、DC-DC转换器中的同步整流或主开关、以及工业电源、不间断电源（UPS）和电池保护电路中的功率开关部分。其设计充分考虑了现代功率电子系统对效率、功率密度和长期可靠性的综合需求。

• 型号:STP80NF55-08AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 55V 80A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:112 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3740 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP80NF55-08AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，属于通过AEC-Q101认证的Automotive级STripFET系列。其核心优势在于高达80A的连续漏极电流处理能力和低至8毫欧的导通电阻（@10V，40A），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。

该器件额定电压为55V，最大栅极电荷为112nC，支持快速开关操作。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和300W的最大功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性，非常适合要求高电流密度和高效能的应用场景。