STP8NS25FP

STP8NS25FP是ST意法半导体基于其先进的MESH OVERLAY技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面MOSFET架构，通过优化的单元几何结构和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡，从而在开关性能与导通损耗之间取得了良好的折衷。其核心设计旨在提供稳健的耐压能力和高效的电流处理能力，以满足中高功率应用对可靠性的严苛要求。

该器件具备250V的漏源击穿电压(Vdss)和8A的连续漏极电流(Id)处理能力，为设计提供了宽裕的电压和电流裕量。其导通电阻(Rds(on))在10V栅极驱动电压和4A漏极电流条件下典型值仅为450毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷(Qg)最大值控制在51.8nC，结合770pF的输入电容(Ciss)，意味着器件具有较快的开关速度，有助于降低开关过程中的功率损耗，并简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压(Vgs)耐受范围达到±20V，增强了驱动电路的鲁棒性。

在封装与热管理方面，STP8NS25FP采用标准的TO-220FP通孔封装，这种封装形式具有良好的机械强度和成熟的安装工艺。其结到管壳的热阻特性使其在25°C管壳温度下能够承受高达30W的功率耗散，最高结温(TJ)可达150°C，确保了器件在持续高负载工作条件下的长期可靠性。用户可以通过ST代理获取详细的技术支持和供应链服务。

凭借其250V/8A的额定参数和优化的开关特性，这款MOSFET非常适合应用于需要高效功率转换和控制的领域。典型的应用场景包括开关模式电源(SMPS)的初级侧开关、功率因数校正(PFC)电路、电机驱动控制器、DC-DC转换器以及各类工业级逆变器。其稳健的性能使其成为替换同类规格分立器件的可靠选择，尤其适用于对成本与性能有综合考量的设计项目。

• 型号:STP8NS25FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STP8NS25FP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP8NS25FP是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。该器件核心规格为250V漏源电压(Vdss)与8A连续漏极电流(Id)，基于MESH OVERLAY技术，实现了低导通电阻与快速开关特性的良好结合。

其关键电气参数包括：在10V Vgs、4A Id条件下，导通电阻(Rds(on))最大值为450毫欧；栅极总电荷(Qg)最大值为51.8nC。这些参数共同确保了较低的传导损耗和开关损耗。器件最大功耗为30W，支持高达150°C的结温，提供了可靠的热性能裕量，适用于多种中功率开关应用。