STP9NK50ZFP

作为ST意法半导体SuperMESH系列中的一员，STP9NK50ZFP是一款采用先进垂直结构设计的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于ST专有的SuperMESH技术，该技术通过优化单元密度和沟道设计，在保持高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。这种设计理念使得器件在高压工作条件下，能够实现更低的传导损耗和更高的开关效率，为功率转换应用提供了坚实的物理基础。

该器件展现了多项卓越的功能特性。其500V的漏源击穿电压（V_DSS）确保了在离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）等高压环境下的可靠运行。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压（V_GS）下，其最大导通电阻仅为850毫欧（@3.6A），这一低R_DS(on)值直接转化为更低的通态损耗和更高的整体能效。此外，其栅极电荷（Q_g）最大值控制在32nC（@10V），结合±30V的宽栅源电压范围，有助于简化驱动电路设计，并实现快速、干净的开关动作，从而降低开关损耗。

在电气参数与物理接口层面，STP9NK50ZFP在壳温（T_C）25°C下的连续漏极电流（I_D）额定值为7.2A，最大功耗为30W，展现了其强大的电流处理与散热能力。其输入电容（C_iss）典型值较低，有利于提升开关速度。器件采用经典的TO-220FP绝缘封装，这种封装形式不仅提供了良好的机械强度和通孔安装便利性，其绝缘特性也无需在散热器与器件之间使用绝缘垫片，简化了热管理装配并降低了系统成本。用户可以通过正规的ST代理渠道获取该产品，确保原装正品和技术支持。

基于其高压、低损耗和高可靠性的特点，STP9NK50ZFP非常适合于要求严苛的功率电子应用场景。它是构建高效离线式开关电源（SMPS）初级侧开关、照明用电子镇流器以及工业电机驱动控制电路中H桥或半桥拓扑的理想选择。此外，在UPS（不间断电源）、电焊机及家用电器（如空调、洗衣机）的功率控制模块中，该器件也能发挥关键作用，帮助设计工程师在-55°C至150°C的宽结温范围内，实现系统的高效率、高功率密度和长期稳定运行。

• 型号:STP9NK50ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:910 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STP9NK50ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其500V的高漏源电压（V_DSS）额定值与低至850毫欧（@10V V_GS, 3.6A I_D）的导通电阻（R_DS(on)）的出色结合，这得益于先进的SuperMESH制造技术，有效优化了高压下的传导损耗。

其电气参数设计兼顾了性能与易用性，7.2A的连续漏极电流能力和32nC的典型栅极电荷（Q_g）使其既能处理可观的功率，又便于驱动和控制。器件采用TO-220FP绝缘封装，提供了便捷的通孔安装方式和简化的散热解决方案。这些特性使其成为开关电源、电机驱动及照明电子等高压、高效能应用领域的可靠选择。