STW9NK95Z

STW9NK95Z是ST意法半导体基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面MOSFET架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于对传统功率MOSFET结构的改进，通过特殊的网格状源极金属化布局和增强的体二极管特性，显著提升了开关性能和雪崩能量耐受能力，为高电压、高效率的功率转换应用提供了坚实的硬件基础。

该器件在功能上表现出显著优势，其漏源击穿电压高达950V，能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压尖峰和浪涌冲击，确保了系统在恶劣电网环境下的高可靠性。在导通特性方面，在10V驱动电压下，其导通电阻典型值低至1.38欧姆，这直接转化为更低的传导损耗，有助于提升整体能效。同时，其栅极电荷Qg最大值仅为56nC，结合优化的内部电容，使得开关过程迅速且损耗可控，特别适合工作在高频开关模式下的电源拓扑。其封装采用工业标准的TO-247，提供了优异的散热路径，结合高达160W的功率耗散能力，使其能够稳定工作在-55°C至150°C的结温范围内。

从接口与参数来看，STW9NK95Z是一款易于驱动的器件。其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，与主流控制器输出电平兼容良好，而±30V的最大栅源电压范围则为栅极驱动设计提供了充足的裕量。其连续漏极电流在壳温条件下额定为7A，能够满足中等功率等级的应用需求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取完整的规格书、评估板以及应用设计指导。

基于其高耐压、低损耗和强健的开关特性，STW9NK95Z非常适用于要求苛刻的离线式开关电源设计。典型应用场景包括工业级开关模式电源、PC和服务器电源的PFC及主开关电路、大功率LED照明驱动以及各类电机驱动和逆变器的功率级。在这些应用中，它能够有效提升功率密度和系统效率，是实现紧凑、高效、可靠电力电子系统的关键元器件之一。

• 型号:STW9NK95Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 7A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.38 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2256 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW9NK95Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247封装，核心参数包括950V的漏源电压和7A的连续漏极电流，为高电压应用提供了坚实的耐压保障。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻典型值仅为1.38欧姆，有助于显著降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷和优化的电容特性确保了快速、高效的开关动作，适用于高频开关电源拓扑。该器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，功率耗散能力达160W，展现了出色的鲁棒性和热管理潜力。