STP9NK90Z

STP9NK90Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了低比导通电阻（R_DS(on)）与高击穿电压（V_DSS）之间的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地降低导通损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备一系列突出的电气特性。高达900V的漏源击穿电压（V_DSS）使其能够从容应对工业级开关电源（SMPS）中常见的电压应力，例如在反激式拓扑中承受关断时由变压器漏感引起的电压尖峰。在10V栅极驱动电压下，其最大导通电阻仅为1.3欧姆（在3.6A条件下测试），这意味着在导通期间产生的功耗极低。同时，其栅极总电荷（Q_g）典型值较低，有助于减少驱动电路的负担并提升开关速度，从而降低开关损耗。器件采用标准的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其结壳热阻（R_thJC）特性支持高达160W（T_C=25°C时）的功率耗散。

在接口与参数方面，STP9NK90Z的栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，确保了与常见控制器输出电平的良好兼容性，并提供了足够的噪声容限。其最大栅源电压（V_GS）范围为±30V，增强了栅极驱动的鲁棒性。输入电容（C_iss）等动态参数经过优化，有助于简化栅极驱动设计并实现更干净的开关波形。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通电阻和坚固的封装，这款MOSFET非常适合应用于要求严苛的中高功率场合。典型应用包括离线式开关电源（如PC电源、服务器电源、工业电源）、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及电机驱动辅助电源。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）也保证了其在恶劣环境下的稳定性和长寿命，是工程师设计高效、可靠功率系统的优选器件之一。

• 型号:STP9NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2115 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP9NK90Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格包括900V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为1.3欧姆，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关，减少开关损耗，提升系统整体效率。这些特性使其成为离线式电源、功率因数校正和工业电源等高压、中功率应用的理想选择。