STPS8H100DEE-TR

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STPS8H100DEE-TR是一款采用先进PowerFlat（3.3x3.3）封装的表面贴装肖特基势垒整流二极管。该器件采用优化的芯片架构与封装技术，旨在为高效率功率转换应用提供卓越的电气性能与热管理能力。其核心设计基于肖特基势垒原理，通过金属-半导体结实现极低的正向压降和快速的开关特性，这使其在降低导通损耗和提升系统频率响应方面表现突出。

该二极管具备100V的最大反向重复峰值电压（VRRM）和8A的平均正向整流电流（IO）能力，为设计提供了宽裕的电压裕量和强大的电流处理能力。其关键电气特性包括在8A正向电流下典型值仅为820mV的低正向压降（VF），这直接转化为更低的导通功耗和更高的整体能效。同时，其反向漏电流在100V反向电压下典型值低至4.5A，有助于减少待机或关断状态下的功率损耗。开关性能方面，它属于快速恢复类型，恢复时间短，适用于高频开关环境，能有效降低开关损耗和电磁干扰（EMI）。

在物理实现上，8-PowerTDFN（PowerFlat）封装是其一大亮点。这种紧凑的3.3mm x 3.3mm封装具有极低的热阻和出色的散热性能，其裸露的焊盘设计便于将芯片产生的热量高效传导至PCB铜层，从而允许器件在更高的环境温度或功率密度下稳定工作。这种封装也符合现代电子产品小型化、高集成的趋势。对于需要可靠供应链保障的批量项目，建议通过官方ST授权代理进行采购，以确保获得原装正品和全面的技术支持。

基于其高性能参数与坚固的封装，STPS8H100DEE-TR非常适合于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的次级侧整流、直流-直流（DC-DC）转换器、电机驱动电路中的续流或钳位二极管，以及光伏逆变器、车载充电器（OBC）等新能源领域。其快速恢复特性和良好的热性能也使其成为高频逆变和功率因数校正（PFC）等电路的理想选择，能够帮助系统设计工程师优化效率、减小体积并提升可靠性。

• 型号:STPS8H100DEE-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SCHOTTKY 100V 8A POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:100 V
• 电流 - 平均整流 (Io):8A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):820 mV @ 8 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5 A @ 100 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 工作温度 - 结:175°C（最大）
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STPS8H100DEE-TR是意法半导体推出的一款高性能表面贴装肖特基整流二极管。该器件核心优势在于其100V反向电压与8A平均整流电流的额定值，结合在8A电流下仅820mV的典型低正向压降，显著降低了导通损耗，提升了电源转换效率。

其采用先进的PowerFlat（3.3x3.3）封装，该封装具有优异的热性能，有助于在高功率密度设计中有效管理散热。器件具备快速恢复特性，适用于高频开关电源、DC-DC转换器及各类需要高效整流的功率电子应用，是实现紧凑、高效系统设计的可靠选择。