STPSC10065D

STPSC10065D是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款基于碳化硅（SiC）技术的肖特基势垒二极管，采用TO-220AC封装。该器件采用先进的宽禁带半导体材料碳化硅，其核心优势在于从根本上消除了传统硅基快恢复二极管固有的反向恢复电荷问题。由于碳化硅材料具有更高的临界击穿电场强度，该二极管能够在高达650V的反向电压下稳定工作，同时实现极低的反向漏电流，在650V额定电压下典型值仅为130A，这显著降低了器件的静态功耗并提升了高温下的可靠性。

在功能表现上，零反向恢复时间（0 ns）是其最突出的技术特性。这一特性意味着在开关转换过程中，二极管从导通状态切换到阻断状态时，没有因少数载流子复合而产生的电流拖尾现象。这直接带来了多重优势：极大地降低了开关损耗，使得系统能够在更高的频率下运行，从而减小了无源元件（如电感和电容）的尺寸和成本；同时，它显著减少了开关噪声和电磁干扰（EMI），简化了滤波电路的设计。其正向压降在10A额定电流下典型值为1.45V，提供了良好的导通性能。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST一级代理获取原装正品和技术支持。

在电气参数方面，该器件标称平均整流电流为10A，并具备出色的浪涌电流承受能力。其结电容在0V偏压和1MHz测试条件下为670pF，较低的电容值有助于进一步提升高频开关性能。该二极管属于ST的ECOPACK2系列，符合RoHS指令，满足环保要求。TO-220AC通孔封装提供了优异的散热路径，便于安装在散热器上，简化了热管理设计。

得益于其高性能，STPSC10065D非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。它是功率因数校正（PFC）电路、开关模式电源（SMPS）、光伏逆变器、不间断电源（UPS）以及电动汽车车载充电机（OBC）中升压或整流环节的理想选择。在这些应用中，它可以替代传统的硅基快恢复二极管，通过消除反向恢复损耗，显著提升系统整体效率，并允许使用更小的磁性元件，实现电源系统的小型化和轻量化。

• 型号:STPSC10065D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220AC
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):10A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.45 V @ 10 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:130 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:670pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-2
• 供应商器件封装:TO-220AC
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC10065D是STMicroelectronics推出的一款650V/10A碳化硅肖特基二极管，采用TO-220AC封装。其核心价值在于利用宽禁带半导体特性，实现了零反向恢复时间（0 ns），彻底消除了传统硅二极管开关过程中的电荷恢复损耗与电流拖尾现象。

该器件在10A电流下的典型正向压降为1.45V，并在650V反向电压下保持极低的反向漏电流（典型值130A）。这些参数共同确保了器件兼具低导通损耗与近乎理想的高频开关性能，同时其结电容也处于较低水平。这些特性使其成为提升开关电源、PFC电路及新能源变换器效率与功率密度的关键元件。