STPSC10065GY-TR

STPSC10065GY-TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管。该器件采用先进的宽禁带半导体材料碳化硅，其核心架构摒弃了传统硅基PN结二极管中固有的少数载流子存储效应，实现了本质上极快的开关特性。这种材料特性从根本上消除了反向恢复电荷（Qrr），使得器件在开关过程中不会产生由反向恢复引起的损耗和电压尖峰，为高效率、高频率的功率转换应用奠定了物理基础。

该二极管具备一系列卓越的功能特点。其最大反向重复电压高达650V，能够稳定工作在严苛的高压环境中。在10A的额定平均整流电流下，其典型正向压降仅为1.45V，这一较低的导通损耗特性有助于提升系统整体效率。尤为关键的是，其反向恢复时间（trr）标称为0ns，这并非理论值，而是由其肖特基接触的多数载流子导电机制所决定，确保了在硬开关和软开关拓扑中都能实现极低的开关损耗和电磁干扰（EMI）。此外，在650V反向电压下的典型反向漏电流仅为130A，展现了出色的高温阻断能力和可靠性。

在接口与参数方面，STPSC10065GY-TR采用标准的表面贴装D2PAK（TO-263-3）封装，便于自动化生产并具有良好的散热性能。其产品系列符合Automotive, AEC-Q101标准，并采用环保的ECOPACK2材料，满足汽车电子及工业领域对高可靠性和环境友好性的严苛要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理进行采购与咨询。其极低的结电容（典型值670pF @ 0V, 1MHz）进一步优化了高频下的性能表现。

基于其高耐压、高效率和高频特性，该器件非常适用于对能效和功率密度有极高要求的应用场景。典型应用包括电动汽车车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、光伏逆变器、服务器电源以及工业电机驱动中的PFC（功率因数校正）电路。在这些应用中，它能够替代传统硅基快恢复二极管或硅基MOSFET的体二极管，显著降低开关损耗，提升系统开关频率，从而减小无源元件的体积和重量，实现电源系统的小型化和高效化。

• 型号:STPSC10065GY-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):10A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.45 V @ 10 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:130 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:670pF @ 0V，1MHz
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• 想获取STPSC10065GY-TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STPSC10065GY-TR是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101车规标准的650V/10A碳化硅肖特基二极管。该器件利用碳化硅材料的宽禁带特性，实现了本质上为零的反向恢复时间（0ns）和极低的反向恢复电荷，这使其在开关过程中几乎不产生反向恢复损耗与相关噪声，为核心卖点。

其额定参数包括在10A电流下典型正向压降为1.45V，以及在650V反向电压下仅130A的低漏电流，确保了高效导通与可靠阻断。采用D2PAK表面贴装封装，并符合ECOPACK2环保标准，该二极管专为要求高可靠性、高效率及高功率密度的汽车电子与工业电源应用而设计，如车载充电器、光伏逆变器和服务器电源的PFC级。