STPSC10H12CWL

STPSC10H12CWL是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能碳化硅（SiC）肖特基二极管阵列，采用TO-247-3通孔封装，属于其ECOPACK环保产品系列。该器件采用先进的碳化硅半导体材料，其核心架构为1对共阴极配置的双二极管阵列，这种设计在单一封装内集成了两个独立的肖特基二极管，为电路设计提供了更高的集成度与布局灵活性，尤其适用于需要紧凑型拓扑的功率转换系统。

得益于碳化硅材料的优异特性，该二极管展现出卓越的电气性能。其最大反向重复峰值电压高达1200V，每二极管平均正向整流电流（Io）为19A，能够满足中高功率应用的需求。一个革命性的优势在于其反向恢复特性：作为肖特基二极管，其反向恢复时间（trr）理论值为0ns，在实际工作条件下表现为极低且可忽略的恢复电荷。这意味着在开关过程中，器件从导通到关断几乎没有反向恢复电流尖峰和相关的开关损耗，这对于提升系统效率、降低电磁干扰（EMI）以及允许更高的开关频率至关重要。其正向压降（Vf）在5A电流下典型值仅为1.5V，结合在1200V反向电压下极低的反向漏电流（典型值30A），共同确保了出色的导通损耗与阻断性能平衡。

在接口与参数方面，该器件设计坚固可靠。其工作结温范围宽达-40°C至175°C，使其能够适应严苛的环境温度条件，保证在高温下的稳定运行。TO-247封装提供了优异的散热能力，便于通过散热器将芯片产生的热量高效导出。对于需要可靠供应链和技术支持的开发者，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。这些参数共同指向了高效率、高频率和高可靠性的设计目标。

基于其无反向恢复、高耐压和高工作温度的特性，STPSC10H12CWL非常适合于对效率与功率密度有严苛要求的应用场景。典型应用包括功率因数校正（PFC）电路、开关模式电源（SMPS）、光伏逆变器以及不间断电源（UPS）中的升压或续流二极管。在这些应用中，它可以有效替代传统的硅基快恢复二极管（FRD）或甚至部分硅IGBT的反并联二极管，显著降低开关损耗，提升整体系统效率，并允许使用更小的磁性元件，从而实现电源设备的小型化和轻量化。

• 型号:STPSC10H12CWL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARR SIC 1200V 19A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:1200 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:19A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 5 A
• 速度:无恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30 A @ 1200 V
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 想获取STPSC10H12CWL的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STPSC10H12CWL是ST意法半导体基于碳化硅技术制造的肖特基二极管阵列，采用TO-247封装。其核心卖点在于利用碳化硅材料实现了近乎零的反向恢复时间（0ns），这彻底消除了传统硅二极管关断时的反向恢复损耗和电流尖峰，为高频开关应用带来了革命性的效率提升。

该器件额定电压为1200V，每二极管平均整流电流达19A，具备高耐压与大电流处理能力。同时，其正向压降低（1.5V @ 5A），反向漏电流小（30A @ 1200V），且工作结温范围宽（-40°C ~ 175°C），确保了在高温、高效工况下的可靠性与性能稳定性。这些特性使其成为追求高效率、高功率密度设计的理想选择。