STPSC20H065CWY

STPSC20H065CWY是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用碳化硅（SiC）技术的肖特基势垒二极管，属于其符合汽车级AEC-Q101标准且采用环保ECOPACK2封装的系列产品。该器件采用TO-247-3通孔封装，内部集成了一对共阴极配置的二极管单元，专为要求高效率、高可靠性和高功率密度的应用而设计。

其核心架构基于宽禁带半导体材料碳化硅，这从根本上区别于传统的硅基快恢复二极管。碳化硅材料带来了极低的开关损耗和近乎为零的反向恢复电荷特性，这使得STPSC20H065CWY在开关过程中能够实现快速恢复（≤500ns），有效减少了开关噪声和电磁干扰，并显著降低了续流或箝位电路中的损耗。其650V的最大直流反向电压（Vr）和每二极管10A的平均整流电流（Io）规格，为设计提供了充足的电压裕量和电流处理能力。

在电气性能方面，该二极管在10A正向电流下的典型正向压降（Vf）仅为1.75V，有助于降低导通损耗，提升系统整体效率。同时，其在650V反向电压下的反向漏电流典型值低至100A，体现了优异的阻断特性。更值得关注的是，其工作结温范围宽达-40°C至175°C，确保了在严苛环境温度下的稳定运行，尤其适合汽车和工业应用。对于需要稳定货源和全面技术支持的设计项目，通过官方授权的ST一级代理进行采购是可靠的选择。

得益于其卓越的性能，STPSC20H065CWY非常适用于高效率功率转换场景。典型应用包括电动汽车的车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、光伏逆变器、不间断电源（UPS）以及服务器电源的PFC（功率因数校正）和次级整流电路。在这些应用中，它能够有效提升系统开关频率，从而减小无源元件（如电感和电容）的体积和成本，实现更高功率密度的设计目标。

• 型号:STPSC20H065CWY
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:10A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 10 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 650 V
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 想获取STPSC20H065CWY的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STPSC20H065CWY是ST意法半导体推出的一款650V、10A碳化硅肖特基二极管，采用TO-247-3封装，并符合汽车级AEC-Q101可靠性标准。

该器件利用碳化硅材料的宽禁带特性，实现了快速开关（恢复时间≤500ns）和近乎为零的反向恢复电荷，能显著降低高频开关应用中的开关损耗和电磁干扰。其具备1.75V @ 10A的低正向压降和高达175°C的宽工作结温范围，确保了高效率和高可靠性，尤其适用于追求高功率密度和高温稳定性的严苛环境。