STPSC20H12G2Y-TR

STPSC20H12G2Y-TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管，采用先进的宽禁带半导体材料技术。该器件采用H2PAK HC封装，专为满足汽车级AEC-Q101标准的严苛要求而设计，确保了在高温、高振动等恶劣环境下的高可靠性和长寿命。其核心优势在于利用碳化硅材料的优异物理特性，从根本上解决了传统硅基快恢复二极管在开关过程中存在的反向恢复电荷（Qrr）问题，实现了近乎理想的无反向恢复特性。

该二极管具备卓越的电气性能，其最大反向重复电压高达1200V，平均正向整流电流为20A，能够胜任高压大电流的应用场合。在20A的额定电流下，其典型正向压降仅为1.5V，这一低导通损耗特性有助于显著降低系统功耗，提升整体效率。尤为关键的是，其开关特性表现为无反向恢复时间，这意味着在关断过程中不会产生传统硅二极管固有的反向恢复电流尖峰和相关的开关损耗，这不仅简化了缓冲电路设计，还能有效降低电磁干扰（EMI），并允许系统工作在更高的开关频率下。

在接口与参数方面，该器件采用表面贴装型TO-263-3（DPak）封装，具有优异的散热性能和机械强度，便于自动化生产。其反向漏电流在1200V反向电压下典型值仅为120A，表现出出色的阻断能力。此外，在零偏压、1MHz测试条件下的结电容为1650pF，较低的电容值进一步优化了高频开关性能。这些参数共同构成了其在高效功率转换系统中的核心竞争力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取此产品。

基于其高耐压、高效率和高频特性，STPSC20H12G2Y-TR非常适用于对效率和功率密度有极致要求的应用场景。典型应用包括电动汽车的车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、光伏逆变器、工业电机驱动以及不间断电源（UPS）系统中的PFC（功率因数校正）和整流桥臂。在这些应用中，它能够帮助系统设计实现更小的磁性元件体积、更高的功率密度以及更低的系统总成本，是推动下一代绿色能源和电动交通技术发展的关键元器件。

• 型号:STPSC20H12G2Y-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK HV
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIC 1.2KV 20A D2PAK HV
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:1200 V
• 电流 - 平均整流 (Io):20A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 20 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:120 A @ 1200 V
• 不同Vr、F 时电容:1650pF @ 0V，1MHz
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK HV
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC20H12G2Y-TR是意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级碳化硅肖特基二极管。该器件采用H2PAK封装，额定值为1200V反向电压与20A平均电流，其核心卖点在于利用碳化硅材料实现了近乎零的反向恢复特性，从而彻底消除了关断损耗和相关的EMI问题。

在20A工作电流下，其正向压降仅为1.5V，确保了低的导通损耗。结合其表面贴装设计和优异的散热能力，该二极管为要求高可靠性、高效率和高功率密度的应用提供了理想的解决方案，特别适用于电动汽车电驱和充电系统、工业电源及可再生能源转换等领域。