STW55NM60N

STW55NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟槽栅结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在高压条件下实现了优异的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的平衡，这一特性对于提升开关电源的效率和功率密度至关重要。其核心设计旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，从而满足高效率、高可靠性的功率转换应用需求。

该MOSFET的额定漏源电压（Vdss）高达600V，在25°C壳温（Tc）条件下可提供高达51A的连续漏极电流（Id），展现了其强大的电流处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、25.5A测试电流下典型值仅为60毫欧，确保了在导通状态下的低功率损耗。同时，栅极电荷（Qg）被控制在190nC（@10V）的较低水平，这有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。高达350W（Tc）的功率耗散能力和150°C的最高结温（TJ）为其在严苛的热环境下稳定工作提供了保障。

在电气参数方面，STW55NM60N具备±25V的宽栅源电压（Vgs）耐受范围，为驱动设计提供了灵活性。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，有助于增强抗干扰能力，防止误触发。器件采用标准的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于安装在需要高功率密度的散热器上。对于需要获取官方技术支持和正品供应的用户，可以联系ST中国代理以获取详细的产品资料和采购信息。

凭借其高压、大电流和低损耗的特性，这款器件非常适合应用于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源（SMPS），例如服务器电源、通信电源和工业电源。此外，它也常被用于电机驱动控制、不间断电源（UPS）以及电焊机等领域的功率开关和逆变电路。尽管该产品系列状态已标注为停产，但其成熟的设计和稳定的性能使其在诸多现有设备和备件市场中仍具有重要价值。

• 型号:STW55NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 51A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):51A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 25.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:190 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW55NM60N是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格包括600V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下高达51A的连续漏极电流（Id），具备强大的功率处理能力。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为60毫欧，能有效降低传导损耗。同时，190nC的栅极电荷（Qg）有助于减少开关损耗，提升系统整体效率。这些特性使其成为高效率开关电源和电机驱动等应用的理想选择。