STPSC2H065B-TR

STPSC2H065B-TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管。该器件采用先进的宽禁带半导体材料技术，其核心架构基于碳化硅衬底，实现了传统硅基器件难以企及的电学特性。与硅基快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（UFRD）相比，碳化硅肖特基二极管从根本上消除了少数载流子存储效应，从而在开关过程中实现了近乎理想的零反向恢复电荷（Qrr）特性。这一物理特性是其卓越性能的基石，使其在高频、高效率的功率转换应用中具有显著优势。

在功能表现上，该器件在650V的反向重复峰值电压（VRRM）下，能够提供2A的连续正向平均整流电流（IF(AV)）。其正向压降（VF）典型值在2A电流下仅为1.55V，这有助于降低导通损耗，提升系统整体效率。尤为关键的是，其反向恢复时间（trr）几乎可以忽略不计，官方规格标注为“无恢复时间 > 500mA（Io）”，这意味着在关断过程中不会产生传统硅二极管因电荷抽取而导致的高频振荡和开关损耗。此外，其在650V反向电压下的漏电流（IR）典型值低至20A，表现出优异的阻断能力。其结电容（Cj）在0V偏压和1MHz测试频率下为135pF，较低的寄生电容进一步支持了高频开关操作。

该芯片采用标准的表面贴装DPAK（TO-252-3）封装，便于自动化生产并具有良好的散热性能。其高耐压、低损耗、无反向恢复的特性，使其成为功率因数校正（PFC）电路、开关模式电源（SMPS）的升压或续流二极管、光伏逆变器以及不间断电源（UPS）等应用场景的理想选择。在这些要求高效率和高功率密度的系统中，使用STPSC2H065B-TR可以有效降低开关损耗和电磁干扰（EMI），允许使用更高的开关频率，从而减小无源元件（如电感和变压器）的体积和成本。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关技术支持。

• 型号:STPSC2H065B-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):2A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.55 V @ 2 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:135pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC2H065B-TR是一款650V、2A的碳化硅肖特基二极管，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于基于宽禁带半导体材料，实现了近乎零反向恢复电荷的特性，从根本上消除了传统硅二极管在开关过程中的反向恢复损耗和相关的振荡问题。

该器件在2A正向电流下的典型压降为1.55V，确保了较低的导通损耗。结合其650V的高反向耐压和极低的反向漏电流，使其非常适用于要求高效率和高可靠性的高频开关电源应用，如PFC电路、服务器电源和新能源逆变器，能够显著提升系统功率密度和整体能效。