STPSC40065CW

STPSC40065CW是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能碳化硅（SiC）肖特基二极管，采用经典的TO-247-3通孔封装。该器件基于先进的宽带隙半导体技术，其核心架构采用1对共阴极配置的碳化硅肖特基势垒二极管。与传统的硅基快恢复二极管相比，碳化硅材料带来了显著的优势，包括极低的反向恢复电荷、近乎零的反向恢复电流以及出色的高温稳定性，这从根本上提升了开关电源系统的效率和可靠性。

该二极管的功能特点突出体现在其卓越的静态与动态性能上。它具备650V的高反向耐压能力，同时每二极管可承载高达20A的平均整流电流。在20A的额定电流下，其正向压降（Vf）典型值仅为1.7V，这有效降低了导通损耗。其最显著的技术亮点在于“快速恢复”特性，恢复时间小于500ns，且反向恢复电荷极低，这在大电流（>200mA）开关应用中能大幅减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。此外，在600V反向电压下，其反向漏电流低至300A，体现了优异的阻断特性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购，确保获得正品和技术支持。

在接口与参数方面，STPSC40065CW设计为通孔安装，兼容广泛使用的TO-247封装，便于在现有功率板卡上进行升级或替换。其宽泛的工作结温范围（-40°C 至 175°C）确保了器件在恶劣环境下的稳定运行，满足工业级和汽车级应用对鲁棒性的严苛要求。这种封装和温度特性的结合，使其能够适应高功率密度和高环境温度的设计挑战。

基于上述技术优势，STPSC40065CW非常适用于对效率和频率有高要求的功率转换场景。典型的应用包括功率因数校正（PFC）电路、开关模式电源（SMPS）、光伏逆变器以及电动汽车的车载充电机（OBC）和DC-DC转换器。在这些应用中，利用其快速开关和低损耗的特性，可以显著提升系统整体效率，减少散热器尺寸，从而实现更紧凑、更高效的电源设计方案。

• 型号:STPSC40065CW
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:20A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 20 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300 A @ 600 V
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
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STPSC40065CW是ST意法半导体生产的一款650V/20A碳化硅肖特基二极管，采用TO-247封装。该器件利用碳化硅材料的宽带隙特性，实现了快速恢复（<500ns）和极低的反向恢复电荷，能显著降低高频开关应用中的开关损耗和电磁干扰。

其电气参数表现优异，在20A额定电流下正向压降仅为1.7V，有助于减少导通损耗。同时，它具备高达175°C的宽工作结温范围和低至300A @ 600V的反向漏电流，确保了在高功率密度及高温环境下的高可靠性和稳定性，适用于要求严苛的工业与汽车电子领域。