STPSC6H12B-TR1

STPSC6H12B-TR1是ST意法半导体推出的一款高性能碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管。该器件采用先进的宽禁带半导体材料技术，其核心架构基于碳化硅衬底，相较于传统的硅基快恢复二极管，在材料物理特性上实现了根本性突破。碳化硅材料具备更高的临界击穿电场、更快的电子饱和漂移速度以及优异的热导率，这使得二极管能够在极高的电压和温度下稳定工作，同时显著降低开关损耗。

该二极管的功能特点十分突出，其最显著的优势在于零反向恢复电荷（Qrr）和零反向恢复时间（trr）。由于肖特基二极管是多数载流子器件，其开关过程不涉及少数载流子的注入与复合，因此从根本上消除了传统硅PIN二极管在关断时产生的反向恢复电流尖峰和相关的开关损耗。这一特性使得STPSC6H12B-TR1在硬开关拓扑中表现卓越，能够极大提升系统效率，并允许使用更高的工作频率，从而减小无源元件的体积和系统尺寸。其正向压降（Vf）在6A电流下典型值为1.9V，提供了良好的导通性能。

在接口与关键参数方面，该器件设计用于表面贴装，采用标准的DPAK（TO-252-3）封装，便于自动化生产并具有良好的散热能力。其额定反向重复峰值电压高达1200V，平均正向整流电流为6A，能够满足中高功率应用的需求。在1200V反向电压下的反向漏电流仅为400A，表现出优异的阻断特性。此外，其结电容在0V偏置和1MHz测试频率下为330pF，较低的电容值有助于进一步降低高频开关损耗。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高性能参数，STPSC6H12B-TR1非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的开关模式电源（SMPS）中的功率因数校正（PFC）电路、太阳能光伏逆变器的升压或逆变桥臂、不间断电源（UPS）以及电动汽车车载充电机（OBC）等。在这些应用中，利用其零反向恢复特性，可以有效降低电磁干扰（EMI），简化散热设计，最终实现系统整体性能、可靠性和紧凑性的全面提升。

• 型号:STPSC6H12B-TR1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 1200V 6A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:1200 V
• 电流 - 平均整流 (Io):6A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.9 V @ 6 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400 A @ 1200 V
• 不同Vr、F 时电容:330pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC6H12B-TR1是ST意法半导体基于碳化硅技术开发的一款1200V、6A肖特基势垒二极管，采用DPAK表面贴装封装。该器件的核心优势在于其作为多数载流子器件，实现了零反向恢复时间（0ns），彻底消除了传统硅二极管关断时的反向恢复损耗和电流振荡。

其技术参数针对高效能应用进行了优化，在6A正向电流下典型正向压降为1.9V，在1200V反向电压下漏电流低至400A。这些特性使其能够在高频硬开关电路中显著降低开关损耗和导通损耗，提升系统效率与功率密度，是先进电源和能源转换系统的理想选择。