STPSC8H065B-TR

STPSC8H065B-TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管。该器件采用先进的宽带隙半导体材料碳化硅制造，其核心架构从根本上区别于传统的硅基快恢复二极管。碳化硅材料具备更高的临界击穿电场强度和更宽的带隙，这使得器件能够在650V的高反向电压下稳定工作，同时实现极低的反向恢复电荷和近乎为零的反向恢复时间。这种物理特性上的优势，直接转化为开关电源系统中卓越的电气性能。

在功能特性上，该二极管最显著的优势在于其零反向恢复时间（0 ns）和无反向恢复电流的特性。这彻底消除了传统硅基二极管在开关过程中因少数载流子复合而产生的反向恢复损耗和相关的电压尖峰。因此，它在高频开关电路中能大幅降低开关损耗，提升整体系统效率，并允许使用更小的散热器和无源元件。其正向压降在8A额定电流下典型值为1.75V，结合极低的反向漏电流（650V下仅80A），确保了在导通和关断状态下都具有优异的能效表现。其结电容在0V偏置、1MHz测试条件下为414pF，有助于在高频应用中保持良好的动态响应。

该器件采用标准的表面贴装DPAK（TO-252-3）封装，便于自动化生产并具有良好的散热性能。其紧凑的封装形式适合高功率密度设计。关键参数如650V的最大直流反向电压和8A的平均整流电流，定义了其在高电压、中等电流应用场景中的核心能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取原厂正品和技术支持。

基于其高性能指标，STPSC8H065B-TR非常适用于对效率和频率有苛刻要求的功率转换领域。典型应用包括服务器和通信设备的开关模式电源（SMPS）中的功率因数校正（PFC）电路、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动汽车的车载充电机（OBC）等。在这些场景中，它能有效降低电磁干扰（EMI），提升功率密度，并提高系统在高温环境下的可靠性，是实现下一代高效、紧凑型电源解决方案的关键元器件。

• 型号:STPSC8H065B-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):8A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 8 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:414pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC8H065B-TR是ST意法半导体生产的一款650V/8A碳化硅肖特基二极管，采用DPAK表面贴装封装。该器件利用碳化硅材料的优势，实现了零反向恢复时间（0 ns）和零反向恢复电流，从根本上消除了开关损耗和相关的电压振荡。

其关键参数包括在8A电流下1.75V的典型正向压降，以及在650V反向电压下仅80A的低漏电流，确保了高效率的功率转换。这些特性使其成为要求高频、高效和高可靠性的功率拓扑，如PFC、SMPS和太阳能逆变器的理想选择。