STP80N70F6

STP80N70F6是ST意法半导体基于其先进的STripFET VI技术和DeepGATE工艺平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的单元结构和沟槽栅设计，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心架构通过精密的半导体制造工艺，有效降低了栅极电荷和内部电容，从而在高压大电流应用中显著减少了开关损耗和导通损耗，提升了整体能效。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源电压（Vdss）额定为68V，能够为48V总线系统提供充足的电压裕量，确保系统在瞬态过压情况下的可靠性。在25°C壳温下，其连续漏极电流（Id）高达96A，展现出强大的电流处理能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压、48A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至8毫欧，这一极低的导通阻抗直接转化为更低的传导损耗和发热量，对于提升功率转换效率至关重要。同时，其最大栅极电荷（Qg）控制在99nC（@10V），有助于降低栅极驱动电路的负担，实现更快的开关速度并简化驱动设计。

在接口与参数方面，该器件采用工业标准的TO-220通孔封装，便于安装和散热处理。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了较宽的驱动安全范围。器件的热性能同样出色，最大功率耗散为110W（Tc），并且结温（TJ）工作范围宽广，从-55°C延伸至175°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取此型号产品及相关设计资源。

凭借高电压、大电流、低损耗和坚固的封装特性，STP80N70F6非常适用于对效率和功率密度有较高要求的应用场景。它常被用作服务器和通信设备中48V至12V或更低电压的DC-DC同步整流转换器中的开关管或同步整流管。此外，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）、大功率音频放大器以及各类电动工具和电池管理系统的功率开关电路中，它也能发挥核心作用，是实现高效、紧凑型电源解决方案的理想选择。

• 型号:STP80N70F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 68V 96A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:68 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):96A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 48A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:99 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP80N70F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VI技术的产品系列。该器件设计用于高效处理高功率应用，其核心优势在于极低的导通损耗与良好的开关特性平衡。

该MOSFET额定漏源电压（Vdss）为68V，在25°C壳温下可承受高达96A的连续漏极电流（Id）。其最显著的技术亮点是在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）可低至8毫欧（@48A），这直接提升了系统的能源转换效率并减少了热耗散。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为99nC，有利于实现快速开关并简化驱动电路设计。

器件采用TO-220通孔封装，工作结温范围宽达-55°C至175°C，功率耗散能力为110W（Tc），确保了在 demanding 应用环境中的可靠性与耐久性。