STU10NM65N

STU10NM65N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在保持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）。其核心设计旨在实现快速开关性能与低导通损耗之间的优异平衡，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该器件具备650V的高漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业级应用中的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为9A，展现了良好的电流处理能力。其导通电阻在10V驱动电压、4.5A测试条件下典型值仅为480毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在25nC（@10V），结合850pF的输入电容（Ciss），意味着所需的驱动能量较低，有利于实现高速开关并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，STU10NM65N采用标准的10V栅极驱动电压，栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了宽裕的安全设计余量。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力。该器件采用通孔安装的I-PAK封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热特性，其最大功率耗散为90W（Tc），最高结温（TJ）可达150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取相关产品信息与供应链服务。

凭借其高电压、低损耗和快速开关的特性，这款MOSFET非常适用于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器以及照明镇流器等应用场景。它为工程师在设计AC-DC电源转换、工业电机驱动和新能源系统时，提供了一个经过市场验证的高性能功率开关解决方案。

• 型号:STU10NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 9A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU10NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，核心参数包括650V的漏源电压（Vdss）和9A的连续漏极电流（Id），提供了坚固的电压阻断和电流处理能力。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡：在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至480毫欧，有效降低了导通损耗；同时，最大25nC的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关瞬态响应，有助于提升系统效率并降低电磁干扰（EMI）。器件采用I-PAK通孔封装，支持高达150°C的结温工作，适用于对热管理和可靠性有较高要求的工业级电源与驱动设计。