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TS883IQ2T

ST图标
集成电路(IC) > 线性 > 比较器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC COMPARATOR 2 GEN PUR 8DFN
原厂封装:封装:8-DFN(2x2)
优势价格,TS883IQ2T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TS883IQ2T的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

TS883IQ2T是ST意法半导体推出的一款双通道、微功耗、精密电压比较器,隶属于其线性产品系列。该器件采用先进的CMOS工艺设计,其核心架构旨在实现极低的静态功耗与高精度的电压检测。每个通道均集成了高增益差分输入级和开路漏极输出级,内部集成的精密电压基准和滞后电路确保了在嘈杂环境下的稳定切换,避免了输出振荡。其设计充分考虑了便携式和电池供电设备对能效的严苛要求,同时兼顾了工业级应用的可靠性。

该芯片最突出的功能特点在于其超低的静态电流消耗,最大值仅为430nA,这使其成为对功耗极其敏感应用的理想选择。其工作电压范围宽达0.9V至5.5V,能够兼容单节电池供电系统以及标准的3.3V或5V逻辑电平。得益于出色的共模抑制比(78dB CMRR)和电源抑制比(80dB PSRR),TS883IQ2T对电源噪声和共模干扰具有极强的免疫力,保证了检测阈值的准确性。其输入偏置电流极低(最大值20pA),输入失调电压小(最大值5mV),进一步提升了比较精度。内置的3.1mV滞后电压有效增强了抗干扰能力,而开路漏极输出则提供了灵活的接口电平转换能力,最大可吸收50mA的灌电流,可直接驱动指示灯、继电器或作为微处理器的中断信号。

在接口与关键参数方面,TS883IQ2T采用紧凑的8引脚UFDFN封装,支持表面贴装,适用于高密度PCB布局。其传播延迟典型值为23微秒,在微功耗比较器中实现了速度与功耗的良好平衡。该器件的工作温度范围覆盖工业标准的-40°C至125°C,确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品,并获得完整的设计资源。

凭借其优异的性能组合,TS883IQ2T非常适合一系列广泛的应用场景。在便携式医疗设备、手持式仪表、无线传感器节点等电池供电系统中,其微功耗特性可显著延长设备续航时间。在电源管理电路中,它可用于过压/欠压检测、窗口比较以及电池电量监测。此外,在工业控制、自动化设备中,其高精度和宽温特性使其能够胜任阈值检测、信号调理和逻辑电平转换等任务,为系统设计提供了可靠且高效的解决方案。

  • 型号:TS883IQ2T
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-DFN(2x2)
  • 类目:集成电路(IC) > 线性 > 比较器
  • 描述:IC COMPARATOR 2 GEN PUR 8DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:标准(通用)
  • 元件数:2
  • 输出类型:开漏
  • 电压 - 供电,单/双(±):0.9V ~ 5.5V
  • 电压 - 输入补偿(最大值):5mV @ 5V
  • 电流 - 输入偏置(最大值):20pA @ 5V
  • 电流 - 输出(典型值):50mA @ 5V
  • 电流 - 静态(最大值):430nA
  • CMRR,PSRR(典型值):78dB CMRR,80dB PSRR
  • 传播延迟(最大值):23s
  • 滞后:3.1mV
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:8-UFDFN 焊盘
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-DFN(2x2)
  • 想获取TS883IQ2T的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

TS883IQ2T是ST意法半导体生产的一款双通道、通用型微功耗电压比较器。该器件核心优势在于其极低的功耗表现,静态电流最大值仅为430nA,同时支持0.9V至5.5V的宽电压供电范围,使其成为电池供电和便携式设备的理想选择。

在精度与可靠性方面,它提供了最大5mV的低输入失调电压和最大20pA的输入偏置电流,确保了高精度的电压比较。其内部集成了3.1mV的滞后电压,并具备78dB CMRR和80dB PSRR,有效抑制噪声干扰,提升系统稳定性。器件采用开路漏极输出,可吸收高达50mA电流,并工作在-40°C至125°C的工业级温度范围,封装为8-UFDFN,适用于高可靠性的表面贴装应用。

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