STQ1NC45R-AP

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STQ1NC45R-AP是一款采用N沟道技术的功率MOSFET，隶属于其先进的SuperMESH产品系列。该器件采用经典的TO-92-3通孔封装，在紧凑的尺寸内实现了高压与低导通电阻的优异平衡。其核心架构基于优化的垂直沟道设计，通过增强的单元密度和创新的栅极结构，显著改善了开关性能和导通损耗，使其成为高效率功率转换应用中的可靠选择。

该器件具备一系列突出的功能特性。高达450V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对反激式拓扑、功率因数校正（PFC）等离线开关电源中的高压应力环境。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为500mA，结合低至4.5欧姆的导通电阻（Rds(on)）（测试条件：Vgs=10V， Id=500mA），有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。其栅极驱动设计友好，最大栅源电压（Vgs）可达±30V，提供了宽裕的驱动裕量；而阈值电压Vgs(th)最大值为3.7V，确保了与标准逻辑电平或微控制器I/O口的良好兼容性。

在动态参数方面，STQ1NC45R-AP表现出色。其栅极电荷（Qg）最大值仅为7nC（Vgs=10V），输入电容（Ciss）最大值为160pF（Vds=25V），这些低电荷和电容特性共同促成了快速的开关瞬态，减少了开关损耗，并降低了对栅极驱动电路的要求，简化了设计。器件的工作结温范围宽广，从-65°C到150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行，最大功率耗散为3.1W（Tc）。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细信息、样品及批量采购服务。

凭借其高压能力、低导通电阻和快速的开关性能，STQ1NC45R-AP非常适合应用于各类中低功率的AC-DC开关电源、LED照明驱动、家用电器辅助电源以及工业控制中的功率开关电路。其经典的TO-92封装也使其易于在现有设计中进行替换或升级，为工程师提供了一个高性价比、高性能的功率开关解决方案。

• 型号:STQ1NC45R-AP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-92-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92-3
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
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STQ1NC45R-AP是意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-92-3封装。该器件核心优势在于其450V的高漏源电压与4.5欧姆的低导通电阻的出色组合，能够在高压应用中有效降低导通损耗，提升效率。

其动态特性同样优异，极低的栅极电荷（7nC）和输入电容（160pF）确保了快速的开关速度，有助于减少开关损耗并简化驱动电路设计。宽泛的工作温度范围（-65°C至150°C）和3.1W的功率耗散能力，使其成为要求高可靠性的中低功率开关电源和功率控制应用的理想选择。