STS9P2UH7

STS9P2UH7是ST意法半导体基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款P沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能。其核心架构优化了单元密度与电荷平衡，在紧凑的8-SO封装内实现了高电流处理能力与低热阻特性，为空间受限的应用提供了高效的功率开关解决方案。

该MOSFET的关键特性包括20V的漏源击穿电压(Vdss)和高达9A的连续漏极电流(Id)。其导通电阻(Rds(on))在4.5V栅源驱动电压(Vgs)下典型值仅为22.5毫欧，这得益于STripFET技术对沟道电阻的显著降低。低阈值电压(Vgs(th)最大1V)与适中的栅极总电荷(Qg最大22nC)相结合，使其能够被低电压逻辑电平轻松驱动，同时保持良好的开关速度，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在接口与参数方面，器件采用标准的表面贴装8-SO封装，便于自动化生产。其栅极耐受电压(Vgs)为±8V，提供了可靠的栅极保护裕量。尽管最大功率耗散为2.7W，但其高达150°C的结温(Tj)工作范围确保了在高温环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取产品技术资料与采购信息。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代型号或生命周期状态。

凭借其高效率与紧凑尺寸，STS9P2UH7非常适合用于负载开关、电源管理模块中的极性保护与OR-ing功能，以及低压DC-DC转换器的同步整流或高端开关。常见应用场景包括便携式设备、分布式电源系统、电机驱动控制电路中的预驱动级等，这些应用均受益于其P沟道设计所实现的简化高端驱动架构。

• 型号:STS9P2UH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 9A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22.5 毫欧 @ 4.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2390 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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STS9P2UH7是ST意法半导体推出的一款采用STripFET技术的P沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。该器件核心参数包括20V的漏源电压(Vdss)与9A的连续漏极电流(Id)，在4.5V栅极驱动下导通电阻(Rds(on))典型值低至22.5毫欧，实现了优异的导电效率。

其设计兼顾了易驱动性与性能，栅极阈值电压最大为1V，便于低电压逻辑直接控制，同时栅极总电荷(Qg)较低，有助于提升开关速度并降低动态损耗。器件结温最高可工作于150°C，具备良好的热可靠性。这些特性使其成为空间受限且要求高效率的负载开关、电源路径管理和低压转换等应用的理想选择。