STSJ100NHS3LL

STSJ100NHS3LL是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极架构，通过精密的单元设计和制造工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与高电流处理能力的平衡。其核心优势在于显著降低了传导损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。封装采用了带裸露焊盘的8-SOIC-EP（Exposed Pad）形式，这种设计不仅增强了机械强度，更重要的是提供了卓越的热性能，通过PCB的铜层实现高效散热，确保器件在高功率密度应用中稳定运行。

在电气特性方面，该MOSFET的额定漏源电压（V_DSS）为30V，在壳温（T_C）条件下能够持续承受高达100A的漏极电流，展现出强大的功率开关能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压和10A测试电流下，典型值低至4.2毫欧，这一特性直接转化为更低的导通压降和发热量。栅极驱动特性同样出色，最大栅极阈值电压（V_GS(th)）仅为2.5V，且栅极总电荷（Q_g）在4.5V V_GS下最大值为35nC，这意味着它能够被标准逻辑电平轻松驱动，并实现快速的开关切换，从而有效降低开关损耗。其坚固性体现在±16V的栅源电压耐受能力和宽达-55°C至150°C的结温工作范围。

该器件主要面向需要高效率和高可靠性的中低压、大电流开关应用场景。其优异的性能使其成为同步整流、电机驱动控制、DC-DC转换器（尤其是降压和负载点转换器）以及电池保护电路中的理想选择。在服务器电源、工业自动化设备、电动工具和汽车辅助系统等领域，通过选择可靠的ST芯片代理获取正品器件，工程师可以充分利用STSJ100NHS3LL的低损耗特性来优化系统能效和热管理方案。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在进行新设计时应优先考虑其替代型号或咨询制造商以获取最新的产品生命周期信息。

• 型号:STSJ100NHS3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC-EP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC-EP
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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STSJ100NHS3LL是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用8-SOIC-EP带裸露焊盘封装，额定漏源电压为30V，在壳温条件下可持续输出100A电流，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值4.2mΩ @ 10V），能显著降低传导损耗。

此外，它具备优异的开关特性，栅极电荷低至35nC，栅极阈值电压最大2.5V，易于驱动并有助于提升开关频率和效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于对效率和可靠性要求严苛的功率开关应用。