STTH1R04

STTH1R04是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款通用型快速恢复整流二极管，采用经典的轴向DO-41封装。该器件基于成熟的平面钝化工艺制造，其核心架构旨在实现高反向电压与快速开关特性的平衡。内部PN结经过优化设计，确保了在承受高达400V反向电压的同时，能够有效控制结电容与电荷存储，从而实现快速恢复特性，反向恢复时间（trr）典型值仅为30纳秒。

该二极管的功能特点突出表现在其电气性能上。最大平均正向整流电流（Io）为1A，能够满足中小功率应用的需求。在1A的测试条件下，其正向压降（Vf）典型值为1.5V，这有助于降低导通损耗，提升系统效率。其快速恢复特性（≤500ns）使其在开关频率较高的电路中，能有效减少由反向恢复电流引起的开关损耗和电磁干扰（EMI），性能优于标准整流二极管。此外，在最高反向电压400V下，其反向漏电流（Ir）典型值低至5A，展现了出色的反向阻断能力与高温稳定性。

在接口与参数方面，STTH1R04采用通孔安装形式的DO-41（DO-204AL）轴向封装，具有良好的机械强度和散热能力，便于在传统PCB板上进行焊接和布局。其电气参数定义明确，包括400V的最大直流反向电压、1A的平均整流电流以及30ns的快速反向恢复时间，共同构成了其可靠工作的基础。用户可通过ST授权代理获取完整的数据手册以进行精确的电路设计与热仿真。

鉴于其参数特性，STTH1R04非常适合应用于需要快速开关和高效整流的场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流、高频逆变器、续流二极管以及各种AC-DC转换器中的桥式整流或缓冲电路。其400V的耐压使其能从容应对市电整流后的高压环境，而快速的恢复速度则使其在反激式、正激式等拓扑中能有效提升开关频率和功率密度。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计成熟、性能可靠，在诸多现有设备和维修市场中仍有一席之地。

• 型号:STTH1R04
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DO-41
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE STANDARD 400V 1A DO41
• 系列:-
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:停产
• 技术:标准
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:400 V
• 电流 - 平均整流 (Io):1A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 1 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):30 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 400 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向
• 供应商器件封装:DO-41
• 工作温度 - 结:175°C（最大）
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STTH1R04是ST意法半导体生产的一款轴向封装通用快速恢复整流二极管。其核心卖点在于400V的高反向耐压与1A的平均整流电流能力，结合仅30ns的快速反向恢复时间，使其在中小功率高频开关电路中能显著降低开关损耗与噪声。

该器件在1A电流下的正向压降为1.5V，并在额定电压下保持极低的反向漏电流（5A @ 400V），确保了高效与可靠的运行。采用标准的DO-41通孔封装，为电源整流、续流及缓冲等应用提供了经典且稳健的解决方案。