STTH8R02DDJFY-TR

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STTH8R02DDJFY-TR是一款采用PowerFLAT 8x8封装的双通道通用整流二极管阵列。该器件集成了两个独立的快速恢复整流二极管，每个二极管在正向电流（Io）为4A时，可承受高达200V的最大直流反向电压（Vr）。其核心架构采用了优化的半导体工艺，旨在实现低正向压降与快速开关特性的平衡，这对于提升电源转换效率和降低开关损耗至关重要。

该二极管阵列的显著特性在于其快速恢复性能。反向恢复时间（trr）典型值仅为30纳秒，这使其能够高效应用于高频开关电路中，有效抑制由二极管反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。在8A测试电流下，其正向压降（Vf）为1.22V，结合在200V反向电压下仅3A的低反向泄漏电流，共同确保了器件在导通和关断状态下均具备出色的能效表现。其工作结温范围宽达-40°C至175°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。

在电气接口与参数方面，STTH8R02DDJFY-TR采用表面贴装型（SMD）的8-PowerVDFN封装，这种紧凑的封装形式不仅优化了热性能，便于散热管理，也节省了宝贵的电路板空间。两个二极管相互独立的设计为电路布局提供了灵活性，可以用于构建全波整流桥、续流电路或反向极性保护等不同拓扑。用户可以通过ST代理获取详细的技术支持和供货信息。

基于其200V的耐压、4A的电流能力以及快速的开关速度，该器件非常适合应用于要求高效率和高功率密度的场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧整流或次级侧输出整流、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动中的续流二极管以及工业逆变器中的高频整流环节。其快速恢复特性使其成为替代标准整流二极管以提升系统整体性能的理想选择。

• 型号:STTH8R02DDJFY-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY GP 200V 4A POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管配置:2 个独立式
• 技术:标准
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:200 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:4A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.22 V @ 8 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):30 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 200 V
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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STTH8R02DDJFY-TR是意法半导体推出的一款双通道快速恢复整流二极管阵列，采用节省空间的PowerFLAT 8x8表面贴装封装。每个独立二极管具备200V的最大反向耐压和4A的平均整流电流能力，其核心优势在于30纳秒的快速反向恢复时间，能显著降低高频开关应用中的开关损耗和噪声。

该器件在8A电流下的正向压降仅为1.22V，且在200V反向电压下的泄漏电流低至3A，确保了高效率的功率处理。宽泛的结温工作范围（-40°C至175°C）使其能够适应严苛的工业环境。这些特性使其成为开关电源、PFC电路和电机驱动等应用中实现紧凑、高效设计的优选元件。