STU150N3LLH6

STU150N3LLH6是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用通孔I-PAK封装。该器件基于先进的STripFET VI技术和DeepGATE工艺平台构建，旨在提供卓越的功率密度和开关效率。其核心架构通过优化单元设计和沟槽栅极结构，在单位面积内实现了极低的导通电阻，同时保持了出色的栅极控制特性，为高电流、低电压应用场景提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的显著特性在于其优异的电气性能。它具备30V的漏源击穿电压（Vdss），在25°C壳温条件下可支持高达80A的连续漏极电流。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压和40A漏极电流条件下，最大值仅为3.3毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，最大值在250A漏极电流下为2.5V，而栅极电荷（Qg）在4.5V Vgs下最大值为40nC，这些参数共同确保了快速、高效的开关性能，并降低了对驱动电路的要求。

在接口与参数方面，该器件设计用于标准逻辑电平驱动，其优化的驱动电压范围为4.5V至10V，栅源电压（Vgs）最大可承受±20V。其输入电容（Ciss）在25V Vds下最大为4040pF。器件的最大功耗为110W（Tc），最高结温（TJ）可达175°C，展现了良好的热性能。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取相关技术支持和库存信息，尽管该产品目前已处于停产状态。

凭借其高电流处理能力、极低的导通电阻和快速的开关特性，STU150N3LLH6非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用。典型应用场景包括服务器和通信设备的同步整流、高密度DC-DC转换器、电机驱动控制以及各类低压大电流的电源管理模块。其通孔I-PAK封装也为需要高可靠性和良好散热性能的工业级设计提供了便利。

• 型号:STU150N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4040 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU150N3LLH6是ST意法半导体基于STripFET VI和DeepGATE技术开发的N沟道MOSFET。该器件采用I-PAK通孔封装，核心优势在于其高电流承载与低损耗特性，其连续漏极电流（Id）在壳温25°C时可达80A，而导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs和40A Id条件下最大仅为3.3毫欧。

其电气参数针对高效开关应用进行了优化，包括较低的栅极阈值电压（Vgs(th) ≤ 2.5V）和适中的栅极电荷（Qg ≤ 40nC @ 4.5V），这有助于实现快速切换并降低驱动损耗。器件支持高达30V的漏源电压（Vdss），最大结温为175°C，适用于要求严苛的电源转换和电机控制场景。