STU2N62K3

STU2N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH3系列N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面工艺架构，通过优化的单元设计和第三代SuperMESH技术，在硅片层面实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）之间的出色平衡。其核心设计旨在降低传导损耗和开关损耗，这对于提升开关电源等应用的整体效率至关重要。该芯片采用坚固的I-PAK通孔封装，确保了良好的热性能和机械可靠性，便于在标准PCB上进行安装。

该MOSFET具备620V的高漏源击穿电压（V_DSS），这使其能够从容应对工业级AC-DC变换器中常见的电压应力和开关尖峰，为系统提供了充裕的安全裕量。在25°C壳温（T_C）条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为2.2A。其导通电阻在10V栅极驱动电压（V_GS）和1.1A漏极电流条件下，最大值仅为3.6Ω，这意味着在导通状态下的功率损耗被控制在很低的水平。同时，其栅极总电荷（Q_G）最大值仅为15nC @ 10V，结合340pF @ 50V的输入电容（C_iss），共同保证了快速的开关切换能力和较低的驱动需求，有助于简化驱动电路设计并减少开关损耗。

在接口与参数方面，ST代理商提供的技术资料显示，STU2N62K3的栅极阈值电压（V_GS(th)）典型值较低，最大值为4.5V @ 50A，确保了与常见控制器和驱动IC的良好兼容性。其栅源电压（V_GS）可承受±30V的最大值，增强了抗栅极噪声干扰的能力。器件的最大结温（T_J）高达150°C，在壳温条件下最大功耗为45W，展现了其强大的热管理潜力和在高温环境下稳定工作的能力。这些参数共同定义了一款高效率、高可靠性的中功率开关器件。

基于其技术特性，STU2N62K3非常适用于需要高电压开关和中等电流处理能力的场合。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动、家用电器中的电机控制以及工业辅助电源。其高耐压和良好的开关性能，使其成为设计紧凑、高效能电源解决方案的理想选择，尤其适合对成本、效率和可靠性有综合要求的消费电子及工业产品。

• 型号:STU2N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU2N62K3是ST意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用I-PAK通孔封装。该器件核心优势在于其620V的高漏源电压（V_DSS）额定值，以及仅为3.6Ω（@10V，1.1A）的低导通电阻（R_DS(on)），这有效降低了导通状态下的功率损耗。

此外，其栅极电荷（Q_G）最大值低至15nC，结合340pF的输入电容（C_iss），确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。在25°C壳温下，其连续漏极电流（I_D）为2.2A，最大结温达150°C，功耗45W，提供了良好的电流处理能力与热性能。这些特性使其成为开关电源、PFC电路及LED驱动等中功率、高效率应用的可靠选择。