2N6668

作为一款经典的功率开关器件，2N6668采用了PNP达林顿对管架构。这种结构通过将两个PNP晶体管直接耦合，实现了极高的电流放大倍数，使其能够在较小的基极驱动电流下控制高达10A的集电极电流。其内部集成了加速二极管和泄放电阻，优化了开关特性并提升了温度稳定性，为高功率应用提供了可靠的固态开关解决方案。

该器件的核心优势在于其高达1000倍（典型值@5A，3V）的直流电流增益（hFE），这极大地降低了对前级驱动电路电流输出能力的要求。同时，其80V的集电极-发射极击穿电压（V_CEO）提供了宽裕的工作电压余量，适用于多种中压环境。尽管其开关频率受限于达林顿结构，并非为高频应用设计，但其65W的最大功耗能力和150°C的最高结温确保了在连续大电流工况下的鲁棒性。其饱和压降在10A电流下典型值为3V，在进行系统功耗设计时需要将此因素纳入考量。

在电气接口与参数方面，2N6668采用标准的TO-220三引脚通孔封装，便于安装散热器以充分发挥其功率处理能力。其集电极截止电流低至1mA，有助于降低关断状态下的功耗。对于需要可靠货源和完整技术支持的客户，通过正规的ST一级代理进行采购是保障供应链稳定与产品正品性的重要途径。该器件虽然已处于停产状态，但在许多现有设备和替代设计中仍具有重要参考价值。

基于其高电流增益、中压耐受及强功率处理能力，该晶体管典型应用于需要大电流开关或线性放大的场合。例如，在电机驱动电路中作为H桥的下臂开关，在电源电路中作为线性稳压器的调整管，或用于驱动继电器、电磁阀等大功率感性负载。其设计充分考虑了工业环境的严苛要求，是构建稳健功率控制前级的经典选择之一。

• 型号:2N6668
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS PNP DARL 80V 10A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:PNP - 达林顿
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:80 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:3V @ 100mA，10A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:1000 @ 5A，3V
• 功率 - 最大值:65 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• 想获取2N6668的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

2N6668是ST意法半导体推出的一款PNP达林顿功率晶体管，采用TO-220封装。其核心电气参数定义了其在功率控制领域的适用性：高达10A的集电极电流（Ic）与80V的集射极击穿电压（V_CEO）使其能够处理可观的功率；而最小1000倍的直流电流增益（hFE）则意味着它仅需极小的基极驱动电流即可实现对大负载的完全控制。

该器件最大功耗为65W，结合通孔封装易于散热的设计，适合用于中功率开关及线性放大电路。其3V的饱和压降（V_CE(sat)）和150°C的最高工作结温，确保了在持续大电流工况下的稳定运行。这些特性使其成为电机驱动、电源调整以及大功率负载开关等应用的经典解决方案。