STU40N2LH5

STU40N2LH5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I-PAK封装，专为高效率、高电流密度的功率开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）的平衡，通过精细的沟槽工艺，在紧凑的芯片面积内实现了极低的导通损耗，为系统提供了出色的功率处理能力与热性能基础。

该MOSFET的突出特性在于其优异的电气参数组合。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达40A，而漏源击穿电压（V_DSS）为25V，使其非常适用于低压大电流的电路环境。其导通电阻表现卓越，在10V栅极驱动电压（V_GS）和20A漏极电流条件下，最大R_DS(on)仅为12.4毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率。此外，其栅极电荷（Q_g）最大值在5V V_GS下仅为6.3nC，结合约700pF的输入电容（C_iss），意味着开关速度快，栅极驱动损耗低，有利于高频开关应用的设计。

在接口与参数方面，该器件设计兼容标准的逻辑电平驱动，其栅源阈值电压（V_GS(th)）最大值为1V，确保了在5V或10V驱动电压下能实现充分导通。其栅源电压最大耐受值为±22V，提供了充足的驱动安全裕量。该MOSFET的结温工作范围宽广，从-55°C延伸至175°C，最大功率耗散能力为35W（壳温条件），展现了强大的鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取关于该型号库存、替代方案或停产器件管理的专业支持。

基于上述技术特点，STU40N2LH5非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。其主要应用方向包括计算机领域的DC-DC转换器、VRM（电压调节模块），以及各类电源管理系统中的同步整流和负载开关。此外，在电机驱动控制、低压电池保护电路和高效LED照明驱动等工业与消费电子领域，它也能发挥其低导通电阻和快速开关的优势，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和参数表现仍为同类应用提供了重要的技术参考。

• 制造商产品型号：STU40N2LH5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 25V 40A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET V
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：25V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12.4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6.3nC @ 5V
• Vgs（最大值）：±22V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：700pF @ 20V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：35W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
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STU40N2LH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心优势在于其出色的电流处理能力与极低的导通损耗，其连续漏极电流（I_D）在壳温25°C下达40A，漏源电压（V_DSS）为25V。

其关键技术参数定义了卓越的开关性能：在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为12.4毫欧（@20A），确保了高效的功率传输。同时，极低的栅极电荷（Q_g，最大6.3nC @5V）和输入电容（C_iss）使其具备快速的开关速度，有助于降低开关损耗并提升系统频率。这些特性使其成为低压、大电流开关应用的理想选择。