STU5N52K3

STU5N52K3是ST意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺，通过优化的单元结构和沟槽设计，在硅片层面实现了低导通电阻（Rds(on)）与高击穿电压（Vdss）之间的出色平衡。其核心架构旨在最小化传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。芯片通过I-PAK（TO-251）通孔封装提供可靠的机械保护和散热路径，确保在严苛工作条件下的长期稳定性。

作为SuperMESH3产品家族的一员，该MOSFET具备一系列针对高压开关应用优化的电气特性。525V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对反激式、正激式等离线开关电源（SMPS）中常见的电压应力。在导通特性方面，其在10V栅极驱动下，导通电阻典型值较低，有助于减少通态功耗。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过精心优化，有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。其Vgs(th)阈值电压设计合理，提供了良好的噪声免疫能力。

在接口与参数层面，STU5N52K3在壳温（Tc）条件下支持高达4.4A的连续漏极电流，最大功耗为70W。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，适应工业级环境要求。±30V的最大栅源电压为驱动电路提供了充足的设计余量。用户可通过正规的ST代理渠道获取完整的数据手册，以进行精确的散热设计和可靠性评估。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计中选择时需考虑替代方案或库存供应。

该器件典型的应用场景包括中小功率的AC-DC开关电源、功率因数校正（PFC）电路、LED驱动电源以及电机控制中的辅助电源部分。其高耐压和良好的开关特性使其非常适合用于反激式变换器的初级侧主开关管，能够有效提升电源的功率密度和效率。在工业控制、消费电子和照明等领域，基于此芯片的解决方案有助于实现更紧凑、更高效的电源设计。

• 型号:STU5N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU5N52K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH3系列。该器件采用通孔I-PAK封装，核心电气参数包括525V的漏源电压（Vdss）以及在壳温下4.4A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于通过优化的芯片设计，实现了较低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg），这直接有助于降低功率转换系统中的传导损耗和开关损耗，提升整体能效。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在苛刻环境下的稳定运行。这些特性使其成为离线式开关电源、LED驱动及各类功率控制电路中主开关或同步整流元件的理想选择之一。