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STPSC10065DY

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
原厂封装:封装:TO-220AC
优势价格,STPSC10065DY的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STPSC10065DY的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STPSC10065DY是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款基于碳化硅(SiC)技术的肖特基势垒二极管,采用TO-220AC封装。该器件属于其Automotive, AEC-Q101, ECOPACK2产品系列,专为满足汽车级应用的严苛可靠性要求而设计。其核心架构摒弃了传统硅基PN结二极管的结构,利用碳化硅宽禁带半导体材料与金属形成的肖特基结,从根本上消除了少数载流子存储效应,从而实现了近乎理想的开关特性。

得益于碳化硅材料的优异物理特性,该二极管展现出卓越的性能。其最显著的功能特点是零反向恢复电荷(Qrr)和零反向恢复时间(trr)。这意味着在开关转换过程中,器件从导通状态切换到阻断状态时,不会产生由少数载流子复合引起的反向恢复电流尖峰和相关的能量损耗。这一特性对于提升系统效率至关重要,尤其是在高频开关应用中,可以显著降低开关损耗和电磁干扰(EMI)。同时,其高达650V的反向击穿电压10A的平均正向电流能力,确保了在高压大电流场景下的稳定运行。

在电气参数方面,STPSC10065DY在10A正向电流下的典型正向压降(Vf)仅为1.45V,这有助于降低导通损耗。在650V反向电压下的反向漏电流典型值低至130A,体现了其优异的阻断能力。其结电容在0V偏置和1MHz测试条件下为670pF,较低的电容值有利于实现更快的开关速度。该器件采用通孔安装的TO-220AC封装,具有良好的散热性能和机械强度,便于在功率板上进行安装和热管理。如需获取官方技术支持和正品货源,建议通过ST授权代理进行采购。

该碳化硅肖特基二极管非常适合应用于对效率和功率密度有极高要求的领域。在开关电源(SMPS)中,尤其是功率因数校正(PFC)电路和LLC谐振变换器,其零反向恢复特性可以大幅提升效率并允许使用更高的工作频率,从而减小无源元件的体积。在太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和电机驱动等工业电源系统中,它能有效降低系统损耗,提升整体可靠性。此外,凭借其符合AEC-Q101标准的汽车级品质,它也是电动汽车车载充电机(OBC)、DC-DC转换器和驱动系统等新能源汽车电力电子应用的理想选择。

  • 型号:STPSC10065DY
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220AC
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):10A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.45 V @ 10 A
  • 速度:零恢复时间 \> 500mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:130 A @ 650 V
  • 不同Vr、F 时电容:670pF @ 0V,1MHz
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-2
  • 供应商器件封装:TO-220AC
  • 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC10065DY是意法半导体推出的一款650V/10A碳化硅肖特基二极管,采用TO-220AC封装,并符合汽车级AEC-Q101标准。其核心优势在于利用碳化硅技术实现了零反向恢复时间(trr=0ns),彻底消除了传统硅二极管在开关过程中产生的反向恢复损耗和电流尖峰。

该器件在10A电流下的正向压降仅为1.45V,结合其高达650V的阻断电压和极低的反向漏电流,在保证高效导通的同时提供了出色的电压耐受能力。这些特性使其特别适用于要求高效率、高频率和高可靠性的功率转换场景。

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