STU5N80K5

STU5N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）在较低水平，这对于提升开关电源等应用的整体效率至关重要。

该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（Vdss），为其在离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）和反激式拓扑中提供了充足的电压裕量，增强了系统在浪涌和开关瞬态过程中的可靠性。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为4A。其导通电阻在10V驱动电压、2A电流条件下典型值较低，最大值仅为1.75欧姆，这直接转化为更低的导通损耗。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为5nC（@10V），结合±30V的宽泛栅源电压（Vgs）耐受范围，意味着驱动电路设计更为简便，能够实现快速开关并降低驱动损耗，有利于提高开关频率，从而缩小磁性元件的体积。

器件采用标准的通孔I-PAK封装，具有良好的机械强度和散热特性，其最大功率耗散能力为60W（Tc）。在电气参数方面，其阈值电压Vgs(th)最大值为5V，确保了良好的噪声免疫能力。输入电容（Ciss）在100V偏压下最大值为177pF，这些特性共同优化了开关动态性能。其结温（Tj）工作范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

凭借高耐压、低导通损耗和快速开关特性，STU5N80K5非常适用于要求高效率和高可靠性的中功率应用场景。其主要应用领域包括工业级开关电源、LED照明驱动、家用电器中的电机控制以及UPS不同断电源系统。在反激式或准谐振（QR）反激拓扑中，它能有效处理高压开关任务；在功率因数校正电路中，其快速开关能力有助于满足能效标准。这款器件是工程师在设计和升级800V电压等级、数安培电流范围的功率转换方案时的一个稳健选择。

• 制造商产品型号：STU5N80K5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh K5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：800V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.75 欧姆 @ 2A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 100A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：177pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：60W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
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STU5N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心特性包括800V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id）额定值，为离线电源设计提供了坚实的电压基础。

该MOSFET在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）表现优异，同时其极低的栅极电荷（Qg，最大5nC）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。这些电气特性使其在提升系统效率方面具有显著优势。器件采用I-PAK通孔封装，最大功耗60W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的工业与消费类电源解决方案。