STU7N105K5

STU7N105K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地减少寄生电容，特别是栅-漏电容（Crss），这对于提升开关速度和降低开关损耗至关重要，使其在高频开关应用中表现出色。

该MOSFET的显著特性在于其1050V的高漏源击穿电压（Vdss），这为在严苛的电压环境下稳定工作提供了充足的裕量。同时，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为2欧姆（在2A电流条件下），这一低导通特性直接转化为更低的通态损耗和更高的整体能效。其栅极电荷（Qg）最大值控制在17nC（@10V），结合380pF（@100V）的输入电容（Ciss），意味着器件所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并进一步提升开关频率潜力。

在接口与参数方面，STU7N105K5采用标准的IPAK（TO-251）通孔封装，便于在PCB板上进行可靠的焊接和散热管理。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣温度环境下的适应性。器件的连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为4A，最大功率耗散能力为110W（Tc），栅-源电压（Vgs）耐受范围达到±30V，增强了其抗栅极噪声干扰和电压尖峰的能力，提升了系统的鲁棒性。对于需要本地技术支持和稳定供货渠道的开发者，可以联系ST中国代理获取详细的产品资料和设计协助。

凭借高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，这款MOSFET非常适用于要求高效率和高可靠性的离线式电源转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源部分。其性能参数使其成为在反激式、正激式等拓扑结构中，构建紧凑且高效的中小功率AC-DC或DC-DC转换器的理想选择。

• 型号:STU7N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK（TO-251）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 4A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK（TO-251）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU7N105K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件设计用于高电压开关应用，其核心参数包括1050V的漏源电压（Vdss）和4A（Tc）的连续漏极电流额定值，提供了坚固的电压阻断能力和适中的电流处理能力。

该MOSFET的关键优势在于其优化的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至2欧姆（@2A），有助于降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为17nC，输入电容（Ciss）为380pF（@100V），这些特性共同确保了快速、高效的开关行为，有利于提升电源系统的整体效率和功率密度。器件采用IPAK（TO-251）通孔封装，工作结温范围为-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。