STU80N4F6

STU80N4F6是ST意法半导体基于其先进的STripFET VI技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-251（IPAK）通孔封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡，结合DeepGATE技术，有效增强了栅极控制能力，从而在提供大电流处理能力的同时，显著降低了开关损耗和传导损耗。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的低导通电阻与高电流承载能力。在10V栅极驱动电压（V_GS）下，其R_DS(on)典型值极低，在40A电流条件下最大值仅为6.3毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率耗散，提升了系统整体效率。其连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下高达80A，漏源击穿电压（V_DSS）为40V，使其非常适合用于低压大电流的开关场景。此外，其栅极电荷（Q_g）最大值控制在36nC，有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失。

在电气参数方面，STU80N4F6展现了宽泛的工作适应性。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力。最大栅源电压（V_GS）范围为±20V，为驱动电路设计提供了充足的裕量。器件支持高达175°C的结温（T_J）工作，并能在-55°C至175°C的宽温度范围内稳定运行，其最大功率耗散为70W（T_C），具备出色的热性能。对于需要可靠元器件供应的项目，可以通过正规的ST授权代理渠道获取相关技术支持和库存信息。

凭借上述特性，该器件主要面向需要高效功率转换和管理的应用领域。它是同步整流、电机驱动、DC-DC转换器（尤其是降压和负载点转换器）以及电池保护电路中的理想选择。其TO-251封装兼顾了功率处理能力和易于PCB布板安装的特点，常见于工业电源、电动工具、汽车辅助系统及大电流开关等场景，为设计工程师提供了一个在性能与成本间取得优异平衡的功率开关解决方案。

• 型号:STU80N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO251
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU80N4F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251通孔封装。该器件基于STripFET VI技术，具备40V的漏源电压（V_DSS）和高达80A（T_C）的连续漏极电流处理能力，专为高电流应用设计。

其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS和40A I_D条件下，R_DS(on)最大值仅为6.3毫欧，能有效降低传导损耗。同时，36nC的最大栅极电荷（Q_g）有助于实现快速开关，提升转换效率。器件结温最高可至175°C，适用于要求严苛的功率开关环境。