STU8N65M5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STU8N65M5是一款采用先进MDmesh V技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心在于通过创新的单元结构和外延工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时优化了内部电容，从而提升了开关性能与效率，为高压开关应用提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET具备650V的漏源击穿电压（Vdss），确保了在离线式电源等高压环境下的稳定工作裕量。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为7A。其导通电阻在典型工作条件下表现出色，在Vgs=10V、Id=3.5A时，Rds(on)最大值仅为600毫欧，这直接有助于降低导通状态下的功率损耗。栅极驱动特性方面，其阈值电压Vgs(th)最大值为5V（@250A），而最大栅极电荷（Qg）在Vgs=10V时仅为15nC，较低的Qg值意味着所需的驱动能量更小，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度。此外，其栅源电压（Vgs）可承受±25V的最大值，提供了较强的抗干扰能力。

在动态参数上，STU8N65M5在Vds=100V时的输入电容（Ciss）最大值为690pF，结合其低栅极电荷特性，共同决定了其快速开关的潜力。该器件采用通孔安装的I-PAK封装，在壳温（Tc）条件下的最大功率耗散为70W，结温（Tj）最高可工作至150°C，展现了良好的热性能。对于具体的库存与供货信息，建议咨询官方ST授权代理以获取准确资讯。

凭借650V的耐压、较低的导通电阻与栅极电荷，这款MOSFET非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。其典型应用场景包括开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动的辅助电源以及UPS（不间断电源）系统中的功率级。它为设计工程师在提升系统能效和功率密度方面提供了一个经过验证的高性能选择。

• 型号:STU8N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU8N65M5是ST意法半导体基于MDmesh V技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）与低至600毫欧（最大值，@10V， 3.5A）的导通电阻（Rds(on)），实现了高压应用下导通损耗的有效控制。

同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为15nC（@10V），有助于实现快速开关并降低驱动损耗。该器件采用I-PAK通孔封装，在Tc条件下额定连续漏极电流为7A，最大功率耗散达70W，结温最高可至150°C，适用于对效率和可靠性有较高要求的功率开关场景。