STV270N4F3

STV270N4F3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极架构，通过精密的单元设计和制造工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻与出色的电荷平衡。这种核心架构使得芯片在保持高电流处理能力的同时，显著降低了开关损耗和传导损耗，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

得益于其技术优势，该MOSFET展现出卓越的功能特性。其最大导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、80A电流条件下仅为1.5毫欧，这一极低的阻抗值直接转化为更低的导通压降和功率损耗。高达270A的连续漏极电流（Tc）和300W的功率耗散能力，使其能够应对严苛的大电流应用环境。同时，其栅极电荷（Qg）被控制在150nC（@10V）的水平，结合适中的输入电容，有助于实现快速、干净的开关切换，优化了开关频率和驱动效率，这对于高频开关电源设计至关重要。

在电气参数与接口方面，STV270N4F3的漏源击穿电压（Vdss）为40V，适用于常见的低压总线系统。其栅源驱动电压（Vgs）范围为±20V，阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力和驱动兼容性。器件采用表面贴装型的10-PowerSO封装，这种封装形式具有良好的热性能和功率密度，便于在紧凑的PCB布局中进行散热管理。其结温（TJ）工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在工业级温度环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

综合其高电流、低阻抗、快速开关和坚固的封装特性，STV270N4F3非常适合于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。典型应用包括服务器和通信设备的同步整流、DC-DC转换器中的高边或低边开关、电机驱动与电池保护电路，以及各类大电流负载开关和电源管理模块。它是工程师在设计高效能、高可靠性功率系统时的优选功率开关器件。

• 型号:STV270N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 想获取STV270N4F3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STV270N4F3是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于先进的STripFET III产品系列。该器件采用表面贴装型10-PowerSO封装，专为处理大电流、低损耗的应用而优化。

其核心电气参数极为突出：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至1.5毫欧（@80A），能够显著降低传导损耗。同时，器件具备高达270A（Tc）的连续漏极电流能力和300W（Tc）的功率耗散上限，结合40V的漏源电压额定值，使其成为低压、大电流功率路径管理的理想选择。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）进一步保障了其在恶劣环境下的稳定性和可靠性。