STW10NK60Z

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STW10NK60Z是一款采用TO-247-3封装的高压N沟道功率MOSFET。该器件隶属于ST先进的SuperMESH产品系列，这一架构通过优化单元设计和工艺技术，在击穿电压与导通电阻之间实现了出色的平衡，专为要求高效率和高可靠性的功率开关应用而设计。

其核心优势在于卓越的开关性能与低损耗特性。该器件具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id）能力，确保了在高压环境下的稳定运行。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、4.5A电流条件下典型值仅为750毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和发热量，有助于提升系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在70nC，结合1370pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于高频开关电源应用至关重要。

在电气参数方面，STW10NK60Z的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，标准驱动电压为10V，且栅源电压（Vgs）可承受±30V的最大值，提供了宽裕且安全的驱动设计窗口。其最大功率耗散能力高达156W（基于壳温），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，结合坚固的TO-247通孔封装，赋予了其强大的热管理和功率处理能力，确保在严苛环境下长期稳定工作。对于需要可靠货源和全面技术支持的设计项目，可以咨询专业的ST一级代理获取详细信息。

基于上述特性，这款MOSFET非常适用于需要高压、高效开关的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不间断电源（UPS）以及高频照明镇流器等。其高耐压和快速开关特性使其成为提升此类系统功率密度和效率的理想选择。

• 型号:STW10NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:156W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW10NK60Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款高压功率MOSFET，采用标准的TO-247-3通孔封装。该器件设计用于高效功率开关，其核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）低至750毫欧（最大值），有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值70nC）确保了快速的开关瞬态，有利于提升开关频率并减少开关损耗。这些特性共同指向了更高的系统效率和功率密度。

该器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，最大功耗达156W，结合其稳健的封装，能够满足工业级应用对可靠性和鲁棒性的严苛要求。