STW13NM60N

STW13NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其第二代MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在高压条件下实现了极低的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on) * Qg），这一特性显著提升了开关电源系统的能效与功率密度。其内部架构专为降低开关损耗而设计，特别注重优化反向恢复特性，使其在硬开关和软开关拓扑中均能表现出色。

该MOSFET的核心优势在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）与11A的连续漏极电流（Id）能力，这使其能够从容应对工业级AC-DC转换和电机驱动中的高压应力。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值远低于360毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为30nC，结合适中的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的能量更少，开关速度更快，有助于简化驱动设计并提升系统频率。

器件采用坚固的TO-247-3通孔封装，提供了优异的导热路径，在管壳温度（Tc）下最大功率耗散可达90W，确保了在高功率应用中的长期可靠性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，适应严苛的工业环境。对于需要高可靠供货与技术支持的设计项目，通过官方授权的ST一级代理进行采购是保障供应链稳定与产品原装性的重要途径。

凭借其高性能与高可靠性，STW13NM60N非常适用于要求高效率和高功率密度的开关模式电源（SMPS），如服务器电源、通信电源的PFC（功率因数校正）和DC-DC变换级。同时，它在电机控制、不间断电源（UPS）、工业照明和焊接设备等领域的逆变器与桥式电路中，也是实现高效能量转换的关键元件。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备和备件市场中，它依然是一个经典且经过验证的高性能解决方案。

• 型号:STW13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW13NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在导通特性上，其在10V栅极驱动下具有低至360毫欧（最大值）的导通电阻，有效降低了功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为30nC，这有助于实现高速开关并减少驱动损耗，从而提升整体系统效率。这些特性使其成为工业级开关电源和电机驱动应用中追求高效率与高可靠性的理想选择。